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: APT WDO2S

APT WD02S是爱普特微电子推出的WD02系列全新升级版烧录器，在线编辑 + 脱机编程，高度集成，适用于APT 32bit全系列MCU单片机芯片（含CSU38M系列ARM Cortex-M0及RISC-V系列），USB Type-C接口，操作简单，可以快速实现MCU的编程、测试等任务，具有超高灵活性和可靠性，可保证研发和量产工作的顺利进行。
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: LC03-3.3.TBT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。
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: SRV05-4ATCT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电(ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括IEC、ETSI、Telcordia 1089和FCC第68部分的瞬变免疫标准。
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: UCLAMP1211T.TCT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。
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: UCLAMP3661P.TNT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。
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: RCLAMP2451ZATFT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。
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: RCLAMP2504N.TCT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。
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: APT32F1023H8M6

APT32F1023H8M6 是由爱普特微电子推出的基于平头哥半导体(T-HEAD Semiconductor) CPU内核开发的32位高性能低成本单片机。APT32F102单片机面向的应用为工业控制，触控家电，消费电子设备，可穿戴设备等应用。我司是授权代理商，欢迎咨询洽谈。
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: APT32F1023H8S6

APT32F1023H8S6 是由爱普特微电子推出的基于平头哥半导体(T-HEAD Semiconductor) CPU内核开发的32位高性能低成本单片机。APT32F102单片机面向的应用为工业控制，触控家电，消费电子设备，可穿戴设备等应用。我司是授权代理商，欢迎咨询洽谈。
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: TYN625RG

产品介绍：STMICROELECTRONICS TYN625RG 晶闸管, 600 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-220AB, 3 引脚，闸流晶体管。TYN625RG广泛通用闸流晶体管，额定阻隔电压范围为 400 至 1200V，通态电流额定值高达 50A。
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: UCLAMP0561P.TNT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。
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: RCLAMP3374N.TCT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。
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: WG75N65HFW1Q

产品介绍： Intel WG75X以太网控制器为寻找用于桌面、服务器和嵌入式应用的全功能千兆位以太网媒体访问控制器 (MAC) 和物理层 (PHY) 的客户提供理想的GbE解决方案。这些器件支持音频视频桥接 (AVB)、802.3az节能以太网 (EEE)、IEEE 802.1AS精密时间戳、纠错码 (ECC) 数据包缓冲区、集成非易失性内存和增强的管理接口选项等先进功能。
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: LTR-381RGB-01

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: BT158W-1200TQ

产品介绍：BT158W-1200TQ是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款采用SOT429N（TO-247）塑料封装的平面钝化可控硅整流器（SCR）晶闸管。该器件属于瑞能标准恢复型SCR产品组合,采用先进的平面钝化工艺制造,专为需要极高浪涌电流承受能力和高热循环性能的应用而设计。
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: FF600R12ME4

产品介绍：IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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: SX1281IMLTRT

产品介绍： SX1281 是一款高度集成的射频收发器，能够在很宽的频率范围内运行，包括 433、868 和 915 MHz 的免许可 ISM（工业科学和医疗）频段。其高度集成的架构允许使用最少的外部组件，同时保持最大的设计灵活性。
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: SX1276IMLTRT

产品介绍： SX1276 是一款高度集成的射频收发器，能够在很宽的频率范围内运行，包括 433、868 和 915 MHz 的免许可 ISM（工业科学和医疗）频段。其高度集成的架构允许使用最少的外部组件，同时保持最大的设计灵活性。
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: MOC3052-A

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: SCH1433-TL-H

产品介绍：SCH1433-TL-H: N 沟道增强型场效应晶体管 20V，3.5A，SOT-563-6。此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。
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