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74HC2G04GW,125
产品介绍:LTV-M601是LITEON(光宝半导体)生产的一款单通道、高速逻辑输出型光电耦合器,采用SOP-5封装。它由红外LED与硅光电晶体管组成,实现输入输出电路间的电气隔离,具有高共模瞬变抗扰度(CMH, CML = ±15 kV/μs Min.)和高速(10 Mbps)特性。主要用于在电路之间实现高速数字信号的电气隔离与传输。更多 +

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IPT007N06N
产品介绍:IPT007N06N是英飞凌(Infineon)推出的OptiMOS 5 N沟道功率MOSFET,它采用创新的TOLL(TO-Leadless)封装(PG-HSOF-8),在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内,实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力,以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻,配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围,为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。更多 +

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MMBD7000LT1G
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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W25N01GVZEIG
产品介绍:Winbond(华邦电子)推出的W25N04KVZEIR 4Gbit SLC SPI NAND Flash存储器,正是为满足这一需求而设计。它凭借4Gbit(512MB)大容量存储、SLC高可靠性架构、104MHz高速四线SPI接口以及-40°C至+85°C的工业级宽温工作范围,采用 SPI/QSPI 接口,专为工业控制、汽车电子、物联网终端和高端消费类电子产品设计。更多 +

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MMBZ5232BLT1G
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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MC74VHC1G08DTT1G
产品介绍:MC74VHC1G08DTT1G是ON Semiconductor(安森美半导体)推出的?高速 CMOS 2 输入与门,正是为满足这一需求而设计。作为业界领先的 74VHC(超高速 CMOS)系列的核心成员,它采用先进的硅栅 CMOS 技术,在紧凑的?5-TSOP(SOT-23-5)表面贴装封装内,实现了2.0V 至 5.5V 的宽工作电压范围、7.9ns 的高速传播延迟以及1μA 的超低静态功耗,为从移动消费电子到工业控制信号链的各类应用提供了高性价比、高通用性的逻辑处理方案,主要用于数字电路逻辑运算,兼具高速性能与低功耗优势。更多 +

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NCP1340B3D1R2G
产品介绍:NCP1340B3D1R2G是onsemi(安森美半导体)推出的高度集成准谐振反激控制器,在紧凑的SOIC-9封装内,集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护(OPP),以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能,为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案,适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。更多 +

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W9825G6KH-6
产品介绍:W9825G6KH-6是Winbond(华邦电子)推出的高速同步同步动态随机存取存储器,这颗经典的SDRAM存储芯片采用16MX16规格,具有256Mbit存储容量、3.3V工作电压以及54引脚的TSOP-II封装,延续了市场成熟的物理尺寸配套,以速度166MHz、访问时间可达5ns的精准时序,为各类基于SDRAM总线的系统提供稳定可靠的运行载体,广泛用于对稳定性与兼容性要求较高的工业及嵌入式系统中。更多 +

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CLA80E1200HF
CLA80E1200HF是Littelfuse旗下IXYS Corporation推出的High Efficiency SCR(Silicon Controlled Rectifier,可控硅整流器),正是为满足这一严苛需求而设计。作为IXYS高效率晶闸管系列的明星型号,它采用PLUS247-3通孔封装,在紧凑的尺寸内实现了1200V高阻断电压、80A平均通态电流以及970A浪涌承受能力,广泛应用于工业电源、电机控制和功率调节系统中。更多 +

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EP4CE6E22C8N
产品介绍: EP4CE6E22C8N是 Intel(原Altera)Cyclone可编程逻辑器件(CPLD/FPGA),作为Cyclone IV E系列中容量居中的型号,它基于成熟的60nm低功耗工艺,在144引脚EQFP封装内,集成了6,272个逻辑单元(LE)、91个用户I/O、276Kbit嵌入式RAM以及2个可编程PLL,广泛应用于工业控制、消费电子和教育领域。更多 +

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PC28F128J3F75A
产品介绍: PC28F128J3F75A是 Micron(美光科技)推出的一款工业级并行NOR Flash存储器,存储容量128Mb(16MB,×16位宽),工作电压2.7V–3.6V,封装:64-ball BGA工业温度级,适用于高可靠性嵌入式系统,支持高速代码执行与长期数据保存。更多 +

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204-10SUBC/C470/S400-A4-L
产品介绍:204-10SUBC/C470/S400-A4-L是由 EVERLIGHT(亿光)生产的一款 3.0mm 圆形插件式蓝色发光二极管(LED),主波长470nm(典型值),峰值波长为 468nm,正向电压(VF)3.4V,适用于需要高亮度蓝光输出的电子设备指示与照明应用。更多 +

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W25Q64JVSSIM
产品介绍:Winbond(华邦电子)推出的W25Q64JVSSIM串行NOR Flash存储器,正是为满足这一需求而设计。它凭借64Mbit存储容量、133MHz高速四线SPI接口、灵活的4KB扇区架构以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围,在一个紧凑的SOIC-8封装内,广泛应用于嵌入式系统、物联网设备、消费类电子及工业控制等领域。更多 +

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W25Q80RVXHJQ
产品介绍:Winbond(华邦电子)推出的W25Q80RVXHJQ 8M-bit 串行 NOR Flash,正是为破解这一困局而生。作为华邦全新一代 RV 系列的首发型号,它采用58nm 先进制程工艺,在超紧凑的XSON-8(2mm × 3mm)封装内,实现了133MHz 高速四线 SPI 读取、1mA 超低读电流和-40°C 至 105°C 的宽温工作范围,支持标准/双通道/四通道 SPI 操作,适用于嵌入式系统中的代码存储与数据记录 。更多 +

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W25N04KVZEIR
产品介绍:Winbond(华邦电子)推出的W25N04KVZEIR 4Gbit SLC SPI NAND Flash存储器,正是为满足这一需求而设计。它凭借4Gbit(512MB)大容量存储、SLC高可靠性架构、104MHz高速四线SPI接口以及-40°C至+85°C的工业级宽温工作范围,采用 SPI/QSPI 接口,专为工业控制、汽车电子、物联网终端和高端消费类电子产品设计。更多 +

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W25Q256JWEIQ
产品介绍:Winbond(华邦电子)推出的W25Q256JWEIQ?256Mbit 串行 NOR Flash-存储器,1.7V ~ 1.95V 的低电压供电、133MHz 高速四线 SPI 接口、256Mbit(32MB)大容量存储和工业级宽温工作范围,在一个紧凑的WSON-8 封装内,广泛用于嵌入式系统中存储固件、代码或关键数据,支持XIP(就地执行),适合对存储容量和读取速度有较高要求的应用场景。更多 +

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W25Q64JVSSIQ
产品介绍:W25Q64JVSSIQ 是华邦电子(Winbond)推出的一款高性能、工业级的 64Mbit(8MB)SPI NOR FLASH 闪存芯片,广泛应用于对启动速度、代码执行效率和数据可靠性要求较高的嵌入式系统中。该芯片凭借高速读取、低功耗、宽温运行和高耐久性等优势,成为物联网、工业控制、消费电子及汽车电子等领域中的主流选择。更多 +

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W25Q128JWSIQ
产品介绍:W25Q128JWSIQ 是华邦(Winbond)推出的一款1.8V 128Mbit 高速串行 NOR Flash 存储器,采用133MHz 四线 SPI 接口和SOIC-8 封装,具备超低功耗、工业级宽温工作范围和高可靠性等特性,是物联网设备、汽车电子、工业控制等低功耗应用的理想存储解决方案。更多 +
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