-
W25N04KVZEIR
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25N04KVZEIR 4Gbit SLC SPI NAND Flash存储器，正是为满足这一需求而设计。它凭借4Gbit（512MB）大容量存储、SLC高可靠性架构、104MHz高速四线SPI接口以及-40°C至+85°C的工业级宽温工作范围，采用 SPI/QSPI 接口，专为工业控制、汽车电子、物联网终端和高端消费类电子产品设计。更多 +
-
W25Q256JWEIQ
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25Q256JWEIQ?256Mbit 串行 NOR Flash-存储器，1.7V ~ 1.95V 的低电压供电、133MHz 高速四线 SPI 接口、256Mbit（32MB）大容量存储和工业级宽温工作范围，在一个紧凑的WSON-8 封装内，广泛用于嵌入式系统中存储固件、代码或关键数据，支持XIP（就地执行），适合对存储容量和读取速度有较高要求的应用场景。更多 +
-
W25Q64JVSSIQ
产品介绍：W25Q64JVSSIQ 是华邦电子（Winbond）推出的一款高性能、工业级的 64Mbit（8MB）SPI NOR FLASH 闪存芯片，广泛应用于对启动速度、代码执行效率和数据可靠性要求较高的嵌入式系统中。该芯片凭借高速读取、低功耗、宽温运行和高耐久性等优势，成为物联网、工业控制、消费电子及汽车电子等领域中的主流选择。更多 +
-
W25Q128JWSIQ
产品介绍：W25Q128JWSIQ 是华邦（Winbond）推出的一款1.8V 128Mbit 高速串行 NOR Flash 存储器，采用133MHz 四线 SPI 接口和SOIC-8 封装，具备超低功耗、工业级宽温工作范围和高可靠性等特性，是物联网设备、汽车电子、工业控制等低功耗应用的理想存储解决方案。更多 +
-
W25Q80DVSSIG
产品介绍：W25Q80DVSSIG是Winbond（华邦电子）推出的一款8Mbit容量（1M x 8bit）的串行SPI NOR Flash闪存芯片。采用SOIC-8封装，工作电压2.7V-3.6V，支持高速读取和块擦除功能它是一款非易失性存储器，主要用于嵌入式系统中存储固件、配置参数、用户数据等关键信息。更多 +
-
MX30LF4G18AC-XKI
产品介绍：W25Q128JVSIQ是华邦电子（Winbond）推出的一款高性能、128M-bit（16MB）容量的串行NOR Flash存储芯片，采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口，8引脚SOIC封装，具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性，广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +
-
W25Q128JVSIM
产品介绍：W25Q128JVSIQ是华邦电子（Winbond）推出的一款高性能、128M-bit（16MB）容量的串行NOR Flash存储芯片，采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口，8引脚SOIC封装，具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性，广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +
-
W25Q128JVSIQ
产品介绍：W25Q128JVSIQ是华邦电子（Winbond）推出的一款高性能、128M-bit（16MB）容量的串行NOR Flash存储芯片，采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口，8引脚SOIC封装，具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性，广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +
-
W25Q32JWSSIQ
产品介绍：W25Q32JWSSIQ 是 Winbond（华邦）推出的一款支持双路、四路 SPI 接口的 1.8V 32Mbit 串行 NOR Flash 存储器，采用133MHz 高速 SPI/四线 SPI 接口，具备低功耗、高可靠性、灵活的存储架构等特性，是工业控制、物联网设备、消费电子等领域中代码存储和数据存储的设计场景。更多 +
-
KGF40N65KDC-U/P
KGF40N65KDC-U/P 是韩国 KEC开益禧（KEC Semicon）推出的一款650V/40A 沟槽栅场截止型（Trench Field Stop）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）工业级，采用 TO-247 封装，电压/电流等级：650V / 80A，具备低导通压降、高速开关、强短路耐受能力等特点，是工业电机驱动、逆变电源、UPS 等中大功率应用。更多 +
-
MMBT4401LT1G
产品介绍：MMBT2222AL: NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。更多 +
-
MMBT2222ATT1G
产品介绍：MMBT2222ATT1G是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的通用型NPN双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23-3贴片封装，具有高电流增益、低饱和压降特性，专为小信号放大与开关控制设计。更多 +
-
MMSZ5258BT1G
产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。 这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。更多 +
-
LTST-C171TGKT
产品介绍：LTST-C171TGKT是一款由 LITE-ON（光宝）生产的翠绿色表面贴装LED发光二极管，该型号采用0805（2012公制）封装，主波长为525nm，视角达130°，以其高亮度、宽视角和低功耗特性，广泛应用于电子设备指示灯、显示屏背光等场景 。适用于高密度PCB布局设计 。更多 +
-
MMBT2907ALT1G
产品介绍：MMBT2907ALT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 PNP型通用双极结型晶体管（BJT），采用行业标准的SOT-23封装，凭借60V的较高耐压、600mA的电流能力以及200MHz的较高特征频率，便于高密度PCB布局，广泛应用于开关和放大电路中，尤其适合便携式电子设备、电源管理及工业控制等低功耗表面贴装场景 。更多 +
-
MMBZ5231BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
-
MMSZ5231BT1G
产品介绍：MMSZ5231BT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 5.1V 表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），采用SOD-123封装，标称齐纳电压为5.1V。它凭借17Ω的低齐纳阻抗、Class 3（>16kV）的ESD防护等级以及-55°C至+150°C的宽工作温度范围，广泛应用于电压基准、过压保护和电源管理电路中，特别适合高密度PCB布局的消费电子、工业控制及汽车电子场景 。更多 +
-
MMSZ5236B-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
-
MMSZ5254BQ-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
-
LTV-816S-TA1-B
产品介绍：LTV-816S-TA1-B是一款由 LITEON（光宝）生产的晶体管输出型光电耦合器,采用 SMD-4封装,支持表面贴装,适用于高密度PCB设计,以高隔离电压、宽电流传输比范围和卓越的温度适应性,成为在工业控制、电源管理等众多领域中实现安全电气隔离。更多 +
相关搜索
热点聚焦
什么是固态聚合物电解质（SPE）膜？深...
- 固态聚合物电解质（Soli...
通讯物联行业解决方案
- 产品名称： 以太网控制器...
低温下驱动电流不足导致MOS管开关短路...
- TI UCC27524DR作为工业级...
- 1什么是固态聚合物电解质（SPE）膜？深尚想科技——精密设备防潮凝露的电解质薄膜厂家
- 2通讯物联行业解决方案
- 3低温下驱动电流不足导致MOS管开关短路？UCC27524DR TI双路5A高速栅极驱动器IC芯片
- 4高速与低功耗不可兼得？AD8030ARJZ-REEL7 ADI双通道轨到轨高速运算放大器，低功耗+高带宽
- 5电力开关柜凝露短路？SPE固态电解质膜电化学主动除湿技术，拒绝二次回路短电
- 6长时间按键锁定死机？BS814C-1 HOLTEK合泰增强型触摸芯片，工业小型触控面板应用
- 7长时间按键锁定死机？BS814C-1 HOLTEK合泰增强型触摸芯片，工业小型触控面板应用
- 8温漂过大，信号衰减，功耗失控？AD822ARZ-REEL7 ADI运算放大器，工业小信号采集模块
- 9小信号开关电路阈值漂移？ACX114YUQ-7R DIODES美台预偏置双管晶体管
- 10主控软件故障，链路经常宕机？WJLXT971ALC.A4 INPHI工业级以太网收发器PHY芯片
微信二维码
手机二维码
