一、产品核心规格参数
DMT69M5LFVW-7 是DIODES美台推出的车规级N沟道增强型功率MOSFET，采用xian进的沟槽型功率工艺，专为严苛车

载与工业高可靠场景设计。
额定漏源电压VDS 40V，栅源电压VGS范围-25V至+25V，适配主流低压车载供电母线
连续漏极电流ID在25℃环境下可达70A，100℃高温下仍保持45A持续通流能力
脉冲漏极非重复电流IDM zui高支持280A，可承受短时大电流冲击工况
栅极总电荷Qg典型值仅23nC，栅极驱动损耗大幅降低，适配高频开关场景
典型导通电阻Rds(on)在VGS=10V条件下低至6.9mΩ，VGS=4.5V时也可保持9mΩ以内
雪崩能量EAS单脉冲额定值达330mJ，可承受系统突发的电压尖峰冲击
内置完整的ESD保护结构，人体模型ESD防护等级超过2kV
工作结温覆盖-55℃至+175℃，通过AEC-Q100 Grade A车规级可靠性认证
采用TO-252AA封装，引脚布局优化，支持大电流低阻抗走线，适配表面贴装自动化组装

二、行业痛点
在中低压功率变换的实际应用中，大量场景长期面临多个性能难以平衡的矛盾：
大电流通流场景下，导通损耗过高，器件发热严重，系统散热设计压力陡增，长期运行下温度持续超出合理区间
高频开关工况中，栅极电荷过大，驱动损耗居高不下，开关边沿拖尾严重，额外增加大量开关损耗，整机效率难以提升
负载突发冲击时，抗雪崩能力不足，短时过压尖峰就可能引发器件意外失效，系统运行可靠性无法保障
低栅压驱动场景下，常规MOSFET导通电阻大幅飙升，在5V逻辑直接驱动的电路中表现远达不到设计预期
高温环境下器件性能漂移明显，导通电阻随温度升高急剧上升，高温工况下通流能力大幅衰减
车规级场景中，常规工业级器件的可靠性认证覆盖不足，无法满足严苛的车载长期运行要求
DMT69M5LFVW-7 依托新一代沟槽功率工艺，从底层器件结构优化出发，针对性给出全维度的性能解决方案，无需在通流能

力、开关速度与可靠性之间做妥协取舍。
三、产品核心优势
专为高可靠中低压功率场景优化的器件架构，让这款MOSFET实现了多项性能突破：
极低的导通电阻表现，在同等封装尺寸下实现更小的通流损耗，大幅降低器件运行温升，减轻系统散热设计负担
优化的栅极电荷控制，在保持低导通电阻的同时将总栅电荷压缩至23nC，实现了极低的FOM品质因数，通流与开关损耗同步

优化
330mJ的高单脉冲雪崩能量，可从容应对系统中各类突发的电压尖峰与电流冲击，大幅提升ji端工况下的运行鲁棒性
4.5V栅压下仍保持9mΩ以内的导通电阻，可直接对接5V逻辑的栅极驱动电路，无需额外提升驱动电压，简化驱动侧设计
极宽的结温工作范围，在-55℃至+175℃全温度区间内性能稳定，高温下导通电阻漂移率控制在极低水平，通流能力无明显衰减
完整的车规级可靠性认证流程覆盖，通过AEC-Q100 Grade A严苛测试，适配各类对长期运行稳定性有高要求的车载应用
优化的TO-252引脚布局，大电流路径阻抗极低，表面贴装后可快速将器件内部热量传导至PCB铜层，强化自然散热效果
四、同系列型号对比优势
在DIODES美台的车规级功率MOSFET产品序列中，DMT69M5LFVW-7 定位40V电压段的大电流、低损耗旗舰级车规MOSFET：
对比同系列同电压段小电流型号，它将连续通流能力提升至70A，在同等TO-252封装尺寸下，可覆盖更高功率的负载场景，无需更

换更大体积的封装方案
对比同系列前代40V车规MOSFET型号，它的导通电阻降低近20%，同时栅极电荷缩减超过30%，FOM品质因数实现大幅优化，整

机损耗表现显著提升
对比同系列未做车规认证的工业级型号，它完整通过AEC-Q100 Grade A全流程可靠性测试，在高低温循环、功率循环等严苛测试

项目中表现更稳定，适配车载场景的长期运行要求
对比同系列同电压等级但采用常规引脚布局的型号，它优化了源极与漏极的引脚走线宽度，大电流路径的寄生阻抗进一步降低，通

流时的额外线路损耗更少
五、同类型技术横向对比优势
40V车规级N沟道MOSFET，DMT69M5LFVW-7 的工艺优化带来了鲜明的差异化竞争力：
常规同规格MOSFET大多难以同时兼顾低导通电阻与低栅极电荷，往往需要在两者之间做取舍，要么导通损耗高，要么开关损耗大。

DMT69M5LFVW-7 依托新一代沟槽工艺，将两项核心参数同步优化，实现极低的FOM值，同时降低导通与开关两类损耗
多数同类型40V车规MOSFET的雪崩能量普遍低于200mJ，面对车载场景中频繁出现的负载突变、尖峰冲击时，失效风险更高。

DMT69M5LFVW-7 330mJ的高雪崩能量，抗冲击能力大幅提升，ji端工况下的运行可靠性显著增强
不少同规格器件在4.5V栅压下导通电阻会飙升至15mΩ以上，低栅压驱动场景下损耗急剧增加，无法适配直接5V驱动的电路设计。

DMT69M5LFVW-7 在4.5V栅压下仍保持9mΩ以内的导通电阻，低栅压场景下损耗表现优势明显
部分同类型器件的zui高结温仅支持150℃，在车载机舱等高温密闭场景中，运行余量不足。DMT69M5LFVW-7 支持zui高175℃的

结温运行，高温下的性能余量更充足，适配更严苛的密闭高温环境
六、核心应用领域与场景优势
车载电源分配系统场景
车载配电盒、车身控制模块中的大电流电源开关路径，对器件的通流能力与可靠性有ji高要求。DMT69M5LFVW-7 极低的导通电

阻可大幅降低电源路径的传导损耗，减少配电网络的不必要发热，高雪崩抗冲击能力可从容应对车载负载启停时的大电流尖峰冲

击，车规级可靠性认证满足车载长期运行要求。
车载BLDC电机驱动场景
车载散热风扇、水泵、车窗升降等中小功率无刷电机驱动中，MOSFET的开关损耗直接影响驱动系统的发热表现。

DMT69M5LFVW-7 低栅极电荷的特性，可让电机驱动工作在更高开关频率下仍保持低损耗，减少电机驱动的发热，高抗冲击能力

可承受电机堵转时的短时大电流冲击，避免器件意外损坏。
工业高可靠电源场景
工业控制电源、伺服系统供电模块中，对功率器件的长期运行稳定性有严苛要求。DMT69M5LFVW-7 宽温域稳定的性能表现，可

在工业现场的宽温度波动环境下持续运行，极低的通流损耗帮助电源系统提升整体效率，高雪崩能力可应对工业电网中突发的电

压尖峰，避免器件损坏引发系统停机。
大功率负载开关场景
各类大功率电池管理系统、储能模块的充放电路径中，大电流持续通流是常态工况。DMT69M5LFVW-7 70A的连续通流能力，可

单颗器件覆盖大电流负载开关需求，无需多颗器件并联，简化电路布局，优化的散热设计可快速将器件热量导出，长时间大电流运

行下温升控制在合理区间。

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