一、产品介绍
TCR5RG28A,LF(S是东芝（Toshiba）推出的高性能CMOS线性稳压器 LDO，属于TCR5RG系列固定输出稳压芯片。它采用东芝最新一代低噪声工艺，在WCSP4F（0.645mm×0.645mm）超微型封装内，集成了500mA输出驱动能力、100dB@1kHz超高电源纹波抑制比（PSRR）、仅5μV_RMS的极致输出噪声以及7μA超低静态电流，为射频前端、图像传感器、高保真音频等对电源质量要求极为苛刻的应用提供供电解决方案。

二、产品核心信息

三、核心功能与优势特点深度解析
TCR5RG28A,LF(S的核心价值在于其以WCSP4F超微型封装的极致小尺寸，实现了100dB@1kHz行业领先的PSRR、5μV_RMS极低输出噪声和500mA输出能力的完美组合，为对电源噪声有严苛要求的射频、图像传感器和音频系统提供了高集成度、高效率与高纯净度的供电解决方案。

1. 100dB超高PSRR，宽频段噪声抑制利器
TCR5RG28A,LF(S的PSRR在1kHz时高达100dB（典型值），至1MHz时仍保持59dB的抑制能力。这一特性使其能够有效滤除来自前级DC-DC转换器或外部环境的数十kHz至MHz范围的高频纹波和开关尖峰。在射频收发器供电应用中，高PSRR可显著降低VCO的相位噪声恶化，确保接收机灵敏度和发射机频谱纯度。东芝通过结合宽带隙电路、低通滤波器和低噪声高速运算放大器，实现了这款LDO在宽频率范围内始终如一的高纹波抑制性能。
2. 5μV_RMS超低输出噪声，极致压低了无源滤波成本
TCR5RG28A,LF(S的输出噪声电压典型值仅5μV_{RMS。在CMOS图像传感器供电中，这一超低噪声特性直接转化为采集图像暗电流噪声和行/列固定模式噪声的大幅降低，有效提升弱光环境下的信噪比。在高分辨率ADC的基准电源通路中使用时，极低噪声可减少有效位数（ENOB）的损失，确保数据采集系统实现设计精度。当为压控振荡器（VCO）供电时，低噪声可使得相位噪声降低10dB以上，使通信系统接收灵敏度裕量显著提升。}

3. 7μA超低静态电流 + 0.08μA关断电流，兼顾性能与续航
TCR5RG28A,LF(S在I_OUT=0mA时的典型静态电流仅7μA，关断模式下的功耗更是低至0.08μA。通常，低噪声和高PSRR与低功耗是一对矛盾的设计指标——降低噪声往往需要更大的内部偏置电流。然而，东芝通过最新工艺和电路设计突破了这一约束，在保持业界领先的5μV_RMS噪声和100dB PSRR的同时，将静态电流压缩至7μA级别。在智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等电池供电设备中，这一低功耗特性使射频模块和传感器在待机时可完全切断电源（关断电流<0.1μA），而在唤醒工作时又能快速响应并提供超纯净电源，显著延长整机续航时间。

4. WCSP4F超微型封装，0.33mm超薄高度赋能高密度设计
TCR5RG28A,LF(S采用WCSP4F晶圆级芯片尺寸封装，尺寸仅0.645mm × 0.645mm × 0.33mm，体积约0.137mm³。这种封装直接将芯片的焊盘以球栅阵列形式引出，无需传统塑封框架，因此体积远小于同规格的SOT-23-5或DFN封装。在智能手机射频前端模组、多摄像头模组、TWS耳机主板和IoT传感器节点等板级空间极度受限的产品中，可以在紧邻负载的位置放置多路独立LDO，实现分布式供电架构，缩短大电流PCB走线长度，进一步降低供电网络上的压降和噪声耦合。

5. 150mV超低压差 + 陶瓷电容稳定，外围设计极简高效
TCR5RG28A,LF(S在500mA满载条件下的典型压差仅150mV，这使得前端DC-DC转换器可将输出电压设定为接近LDO目标输出值（如2.95V），最大限度地降低LDO上的功率损耗和热量产生，提升系统整体电源效率。此外，该LDO可与低ESR的陶瓷电容配合稳定工作，输入和输出端仅需各1μF陶瓷电容即可保证环路稳定，无需额外串联电阻或钽电容，进一步简化外围电路、节省PCB面积并降低BOM成本。

6. 集成多重保护，全系列电压覆盖，系统级设计安全灵活
TCR5RG28A,LF(S内置了过流保护、热关断、自动放电和浪涌电流抑制等多重保护功能。自动放电功能在IC被禁用时主动泄放输出电容上的残余电荷，避免设备在频繁开关机时因残压导致误动作；浪涌电流抑制则限制了启动时的瞬态电流峰值，减轻对前级电源的冲击。同系列覆盖0.9V至5.0V的完整输出电压范围，且所有型号均采用相同的WCSP4F封装和引脚排列，工程师在单平台下更换不同输出电压版本时无需修改PCB布局，极大简化了多电压产品的物料管理。

四、主要应用领域
TCR5RG28A,LF(S凭借其2.8V输出电压、500mA输出能力、超高PSRR、极低噪声和超小封装，在以下多个高灵敏度、高集成度应用领域中具有广泛适应性：

五、主要竞争优势
1. 与主流同级别LDO竞品的横向性能对比

六、为什么选择TCR5RG28A,LF(S？
100dB@1kHz超高PSRR + 500mA输出，射频与传感器系统的噪声隔离屏障：
TCR5RG28A,LF(S的PSRR在1kHz典型值高达100dB，至1MHz时仍保持59dB。在射频收发器VCO电源输入端前级放置时，可有效阻挡DC-DC转换器开关噪声穿透，使相位噪声恶化降低10dB以上，接收灵敏度裕量显著提升。500mA输出电流同时涵盖单路多模RF收发器+Chipset的联合供电需求，无需外部多级LDO级联。
5μV_RMS超低输出噪声 + 2.8V输出电压，为CMOS图像传感器注入纯净模拟电源：
5μV_RMS输出噪声在同级别LDO中处于业界顶尖水平。在CMOS图像传感器模拟电源端部署时，可在弱光条件下有效降低暗电流噪声，相比传统通用LDO（噪声通常>10μV_RMS），信噪比（SNR）提升约3-5dB，暗场图像均匀性更优。2.8V电压恰好贴合主流移动端CIS模拟电源需求，同时可兼顾DAC和音频CODEC供电，单颗芯片优化BOM。
7μA超低静态电流 + 0.08μA关断电流，延长电池续航不妥协性能：
通常，低静态电流和低噪声高PSRR之间存在设计权衡。东芝采用最新工艺突破了这一限制，TCR5RG28A,LF(S在典型7μA静态电流下实现5μV_RMS噪声和100dB PSRR。在TWS耳机、智能手表等周期性开关射频模块的可穿戴设备中，0.08μA关断电流使得关机泄漏降至几乎可忽略，唤醒后重新从待机到建立稳定输出所需的启动时间则极短，射频业务可快速恢复。
WCSP4F超微型封装，0.645×0.645mm²占板面积赋能高密度集成：
WCSP4F封装尺寸仅0.645mm × 0.645mm × 0.33mm，占板面积约0.416mm²。在智能手机摄像头模组等空间极度受限的场景中，可在传感器旁放置独立LDO，避免跨多层板的供电长走线，从而降低IR压降和耦合噪声。
150mV超低压差 + 支持陶瓷电容，外围简洁高效：
500mA满载时典型压差仅150mV，前端DC-DC可贴近输出目标电压，最大限度地降低LDO热损耗。输入输出各仅需1μF陶瓷电容即可稳定工作，外部元件只需两个小尺寸MLCC，无需钽电容或串联电阻补偿电路，BOM精简，全SMT工艺生产高效。
七、典型应用场景
智能手机与移动设备：RF前端收发器、Wi-Fi/BT SoC、射频VCO、PA偏置、多摄模组模拟电源、音频Codec
CMOS图像传感器与摄像头模组：移动终端CIS AVDD（2.8V）供电、安防摄像头传感器、车载摄像头
高保真音频设备：DAC参考电源、耳机放大器、便携播放器、专业录音设备
无线通信基础设施：基站射频单元、直放站、GNSS接收机、物联网网关
可穿戴与IoT终端：智能手表、TWS耳机充电仓、健康监测贴片、环境传感器节点
测试测量仪器：数据采集前端、示波器ADC/DAC基准、高精度仪表模拟电源

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