- [行业资讯]深尚想AON6280 AOS 80V MOS功率MOSFET场效应管，电源管理芯片IC模块2026年06月29日 13:57
- AON6280是AOS（Alpha & Omega Semiconductor）推出的一款N沟道功率MOSFET场效应管晶体管，采用先进的沟槽MOSFET技术制造，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。器件采用8-DFN（5x6mm）表面贴装封装，是AOS中压MOSFET产品组合中的旗舰型号。
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- [行业资讯]全新BSS127S-7 600V高压SOT-23小信号MOSFET场效应管 DIODES美台，开关电源芯片IC2026年06月08日 17:47
- BSS127S-7是DIODES（美台）推出的BSS127S-7小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。
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- [行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25
- IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。
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