- [行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25
- IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。
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