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FGA60N65SMD
产品介绍：FGA60N65SMD: IGBT，650V，60A，场截止。安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +
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FGL40N120ANDTU
产品介绍：安森美半导体的AN系列IGBT采用NPT技术，提供了低导通和开关损耗。AN系列为感应加热(IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。更多 +
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FGH60T65SHD-F155
产品介绍： 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +
- [公司动态]低温下驱动电流不足导致MOS管开关短路？UCC27524DR TI双路5A高速栅极驱动器IC芯片2026年10月30日 14:15
- TI UCC27524DR作为工业级双路5A高速低侧栅极驱动器，用5A灌拉对称峰值电流、纳秒级低延迟、全温区鲁棒性设计，给MOSFET、IGBT甚至GaN器件提供一套“全工况稳定驱动不炸机”的落地方案。
- 阅读（1060）
- [公司动态]长引脚寄生电感大导致EMC调试卡壳？FGH40T120SMD-F155 onsemi安森美IGBT中小功率开关模块2026年10月22日 16:31
- 在光伏逆变器、工业焊机、UPS电源这类硬开关场景里，开关尖峰太高必须加RC吸收拖慢效率，高温下导通压降飘得厉害过不了能效认证，长引脚寄生电感大导致EMC调试卡壳。安森美FGH40T120SMD-F155，作为1200V/40A-级场截止沟槽IGBT的短引脚优化版本，用TO-247-3LD短引脚封装设计，从根源上降低寄生电感，把中小功率硬开关场景的效率、散热和EMC表现推到新的高度。
- 阅读（1046）
- [公司动态]SLM343CK-DG Sillumin数明隔离栅极驱动器，IGBT、MOSFET驱动芯片，赋能工业与新能源2026年09月22日 14:35
- 上海数明半导体（Sillumin）国内高性能隔离模拟芯片，推出SLM343CK-DG，隶属于 SLM34x 系列单通道兼容光耦隔离栅极驱动器，采用自主电容隔离技术，引脚、封装wan全兼容传统光耦驱动方案。芯片拥有 4A 峰值源电流、6A 峰值灌电流大驱动能力，5kVrms 增强隔离耐压，150kV/μs 超高共模瞬态抗扰度，-40℃~+125℃宽温工作区间，兼顾高驱动能力、强抗干扰、长寿命、国产稳定供货多重优势，成为工业电源、新能源逆变、电机变频领域国产替代方案。
- 阅读（1016）
- [行业资讯]全新FGHL50T65MQD 650V/50A 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ON安森美芯片2026年06月10日 17:00
- FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。
- 阅读（951）
- [公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26
- WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体） 推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为 高效率电源转换和电机驱动 设计，适用于 工业、新能源、电动汽车 等高功率应用场景。
- 阅读（155）
- [公司动态]FF600R12ME4-B72 —— 重新定义工业动力核心，高能效时代的终极选择2025年05月21日 16:52
- 在智能制造、新能源革命和工业4.0的浪潮中，高效、稳定、耐用的功率半导体器件已成为工业系统的核心命脉。而英飞凌（Infineon Technologies）推出的FF600R12ME4-B72 IGBT模块，凭借其1200V/1200A超高功率密度与20mW超低损耗，正以颠覆性性能重新定义行业标准！无论是电动汽车电机驱动、智能电网，还是重型工业设备，它都能以“零妥协”的姿态，成为工程师心中“高能效、高可靠”的代名词。
- 阅读（356）
- [常见问题]两个IGBT模块并联代替一个IGBT有什么好处？2022年07月06日 09:38
- 降本钱的需求。以两点平为例，直接购买赛米控等厂商的成品模块固然可进步产品稳定性，可是相应的本钱增加不是一般公司能承受的，运用多模块并联可显着降低本钱。一般电流越大的IGBT价格越高，且可供挑选的供货商越少，然后三社模块使得价格居高不下。相反，低电流的IGBT厂商较多，量产时刻久，价格较低。
- 阅读（174）
- [行业资讯]IGBT打通汽车能量流 缺货加速国产替代2022年06月17日 22:01
- IGBT 是汽车电能转换的关键连接器。IGBT 器件在新能源汽车主逆变器、车载充电器(OBC)、升压换流器及辅助系统中被广泛应用。其中，主逆变器IGBT以模块形式为主，纯电动车需要1-2 个，混动汽车需要2-3 个，单价从650元到2000 元不等；同时，成本较低的IGBT 单管方案正在逐步渗透：以120KW电机为例，单管方案比模块方案成本降低约40%。此外，由于汽车零部件时常暴露高温、高湿、高压环境中下，要求车规级半导体可承受温度区间达-40-150(工业级：-40-105)且产品寿命需达15 年及以上，因此车用IGBT 技术难度大且封装要求高。
- 阅读（117）
- [常见问题]关于IGBT管的检测分享2021年06月02日 11:16
- 双极型晶体管、MOSFET管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，即为广泛应用的IGBT管。
- 阅读（201）
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