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: FGH75T65SHDT-F155

FGH75T65SHDT-F155是onsemi（安森美）出品的一款650V、150A 沟槽型场截止第3代 IGBT晶体管/模块，采用TO-247-3封装，导通损耗约3 mJ，关断损耗约750 μJ，适用于UPS 不间断电源、焊接机、电信电源、储能系统 (ESS)及功率因数校正 (PFC)电路等对低导通和开关损耗有严格要求的高功率应用。
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: FGH75T65SHDTL4

FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。
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: FGHL50T65MQD

FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。
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: UCC27524DR

产品介绍：UCC27524DR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款双通道、5A 高速低侧栅极驱动器，采用紧凑的SOIC-8 封装，专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等开关器件而设计。它凭借5A 峰值拉灌电流、17ns 超低传播延迟、1ns 通道间延迟匹配以及4.5V 至 18V 宽电源电压范围，在开关电源、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电等领域中广泛应用。
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: KGF40N65KDC-U/P

KGF40N65KDC-U/P 是韩国 KEC开益禧（KEC Semicon）推出的一款650V/40A 沟槽栅场截止型（Trench Field Stop）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）工业级，采用 TO-247 封装，电压/电流等级：650V / 80A，具备低导通压降、高速开关、强短路耐受能力等特点，是工业电机驱动、逆变电源、UPS 等中大功率应用。
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: SLMi350DB-DG

产品介绍：SLMi350DB-DG是数明半导体（Sillumin）推出的一款单通道、电容隔离式栅极驱动器,核心功能是高效、安全地驱动功率开关器件（如MOSFET、IGBT）并实现高压电气隔离。
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: MMKP82-PHB

产品介绍：MMKP82-PHB是RC容钏一种薄膜电容器盒式双面金属化聚丙烯高绝缘电阻IC。其核心功能是“吸收和抑制高频脉冲及浪涌电流，保护电路中的关键器件”。在电路开关瞬间（如IGBT、MOSFET的开关），能快速吸收产生的巨大脉冲能量，防止过电压击穿开关管。
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: IR4427STRPBF

产品介绍：IR4427STRPBF是Infineon（英飞凌）公司推出的一款单通道、高速、低侧栅极驱动器IC。它采用SOIC-8表面贴装封装，是一款专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计的接口芯片。
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: IRFP4468PBF

IRFP4468PBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用标准的TO-247通孔封装，是一款专为处理极高功率而设计的重型开关器件。
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: FGY75T120SQDN

产品介绍：FGY75T120SQDN这款绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有坚固且成本效益高的超场停止沟槽结构，并在苛刻的开关应用中提供卓越的性能，同时提供低导通电压和最小的开关损耗。IGBT非常适合于UPS和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软快速共封装自举二极管。
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: NXH350N100H4Q2F2S1G

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: FGH40T120SMD

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: FF600R12ME4

产品介绍：IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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: SLM343CK-DG

SLM343CK-DG是一颗光兼容、单通道、隔离栅极驱动器，可用于驱动MOS和IGBT，驱动电流强，源极电流可达4A，漏极输出可达6A，隔离电压高达5KV，结温范围为-40-150℃，相对同系列其他芯片，该物料的优势在于高共模瞬态抗扰度、低传播延迟和小脉宽失真。UPS电源中市电接入后会有一个整流模块，其中会用到隔离驱动，UPS产品中对用料有一定的要求，而数明的SLM343CK-DG性能高，各项参数指标都符合工业级产品对芯片的要求。SLM34x系列输入级是模拟二极管，与传统LED相比，这意味着长期可靠性和优异的老化特性。它以SOP6W包提供≥8.0mm爬电和间隙。来自材料组II的模具化合物，其比较跟踪指数（CTI）>400V.SLM34x的高性能和可靠性使其非常适用于所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
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: FGH60N60SMD

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: IKW40N120H3

安森美ON Semiconductor 40A1200V IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体IKW40N120H3 IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。英飞凌IGBT，广泛应用于电磁炉，电机，电焊机行业。
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: FGHL50T65SQDT

安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代现场停止IGBT提供最优性能。IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体FGHL50T65SQDT IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。这些包括太阳能逆变器，UPS，焊机，电信，ESS和PFC应用。
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: LTV-814S-TA1

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: FGH60N60UFDTU

产品介绍：FGH60N60UFD: IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止。安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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