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IRLML2402TRPBF
产品介绍:IRLML2402TRPBF 是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道小信号MOSFET功率开关二极管。它采用超小型的 SOT-23 表面贴装封装,是一款专为低电压、小功率、高密度的电路控制而设计的通用型器件。更多 +

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IRLR3110ZTRPBF
产品介绍:IRLR3110ZTRPBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET晶体管/二极管。它采用先进的?DirectFET? MN 表面贴装封装,是一款专为高频率、高能效、高功率密度应用而设计的革命性产品。更多 +

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IRFP4468PBF
IRFP4468PBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用标准的TO-247通孔封装,是一款专为处理极高功率而设计的重型开关器件。更多 +

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IRF7351TRPBF
产品介绍:IRF7351TRPBF 是英飞凌科技推出的一款双N沟道MOSFET功率开关二极管。它采用先进的PQFN 3.3x3.3 mm封装,将两个高性能的MOSFET集成在一个芯片内。在开关电源(SMPS)中,如服务器/数据中心电源、通信设备电源、工业电源的次级整流侧,用于替代传统的肖特基二极管,大幅提升效率更多 +

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DMP6180SK3-13
产品介绍:DMP6180SK3-13 是 Diodes Incorporated(美台半导体)公司生产的一款 P沟道增强型功率MOSFET。高效功率开关 实现电路的高效通断控制;电源管理 在电源系统中进行电能分配和管理;负载驱动 直接驱动各种功率负载。更多 +

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IRFBG30PBF
IRFBG30PBF是Vishay威世推出的600V/30A N沟道功率MOSFET,采用第五代TrenchFET技术,专为开关电源、电机驱动、新能源逆变器等高功率场景设计。以85mΩ超低导通电阻和超快反向恢复,成为高效能电源系统的“能效引擎”!更多 +

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SUP70101EL-GE3
产品介绍:SUP70101EL-GE3是Vishay Siliconix推出的30V N沟道MOSFET,采用PowerPAKSO-8封装,专为高效率电源管理和负载开关应用优化设计。更多 +

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FF600R12ME4
产品介绍:IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。更多 +

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FCH041N60F
产品介绍:FCH041N60F: 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,FRFET ,600 V,76 A,41 mΩ,TO-247 SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。更多 +

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MP2329GG-Z
产品介绍:MP2329 是一款全集成高频同步整流降压开关模式变换器。 MP2329 采用超紧凑型解决方案,在宽输入电压工作范围内可实现 6.5A 持续输出电流和 7.5A 峰值输出电流。 MP2329 基于 MPS 专有的开关损耗降低技术和低导通阻抗功率 MOSFET,能在宽输出电流负载范围内高效率工作。自适应恒定导通时间控制模式(COT)提供了快速瞬态响应,并使环路更易稳定。直流自动调节环路和远程差分检测功能提供了良好的负载和线性调整率。更多 +

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MP2315GJ-Z
产品简介:MP2315 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案,在宽输入范围内可实现 3A 连续输出电流,具有出色的负载和线性调整率。MP2315 在输出电流负载范围内采用同步工作模式以达到高效率。其电流控制模式提供了快速瞬态响应,并使环路更易稳定。全方位保护功能包括过流保护(OCP)和过温关断保护。更多 +

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MP2322GQH-Z
MP2322 是一款内置功率 MOSFET 的同步整流降压开关变换器,在轻载条件下具备高效率。MP2322 提供非常紧凑的解决方案,在宽输入范围内可实现 1A 的持续输出电流,具有极好的负载和线性调整率。更多 +

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MP8756GD-Z
MP8756 是一款全集成高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案,在宽输入范围内可实现 6A 连续输出电流,具有极好的负载和线性调整率。 MP8756 基于 MPS 专有的开关损耗降低技术和低导通阻抗功率 MOSFET,能在宽输出负载范围内高效率工作。 自适应恒定导通时间控制模式(COT)提供了快速瞬态响应,并使环路更易稳定。DC 自动调节环路提供了较好的负载和线性调整率。更多 +

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MGSF1N03LT1G
产品介绍:MGSF1N03L: 单 N 沟道小信号功率 MOSFET 30V,2.1A,100 mΩ。此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能,使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。更多 +

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MP2451DT-LF-Z
MP2451是一款集成了内部高端高压MOSFET的高频(2MHz)降压开关调节器。采用电流控制模式,为快速环路响应提供单一的0.6A(或更少)高效输出。3.3V至36V的宽输入范围适用于汽车输入环境中的各种降压应用。3μA关断模式静态电流允许其使用在电池供电应用中。更多 +

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MP2359DJ-LF-Z
MP2359 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压开关转换器。在宽输入范围内,可提供 1.2A 的峰值输出电流,具有极好的负载和线性调节性能。电流控制模式提供了快速瞬态响应,并使环路更易稳定。故障保护包括逐周期限流保护和过温保护。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封装,最大限度地减少了现有外部元器件的使用。更多 +

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MP2145GD-Z
MP2145 是一款集成内部功率 MOSFETs 的单片降压开关变换器。在 2.8V 至 5.5V 的输入电压范围内,MP2145 可以实现 6A 的连续输出电流,且具有极好的负载和线性调整率。其输出电压可调节低至 0.6V。更多 +
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