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Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON5mmx6mm塑料封装。更多 +
- [公司动态]ISL8121IRZ-T 瑞萨电子Renesas高效双路同步降压控制器 【5G基站、AI服务器】专用2025年07月17日 17:08
- ISL8121IRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的双路同步降压控制器，采用QFN-24封装，专为5G基站、AI服务器、高端GPU供电等严苛应用打造。这款芯片凭借业界领先的转换效率（高达97%）和智能数字控制技术，正在重新定义大电流电源解决方案的标准！
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- [公司动态]HIP4082IBZT 全桥MOSFET驱动器 【高效能动力控制核心】2025年07月17日 16:11
- HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的一款全桥N沟道MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为H桥电机驱动、DC-AC逆变器等应用设计。该芯片具备高驱动能力、低传播延迟和智能死区控制，可显著提升功率转换效率，适用于工业自动化、新能源及消费电子等领域。
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- [公司动态]IXFH320N10T2 IXYS 超快二极管MOS 工业级超高电流开关应用2025年07月04日 17:43
- IXFH320N10T2是IXYS（现属Littelfuse）推出的100V/320A N沟道功率MOSFET，采用TO-247 Plus封装，专为超高电流开关应用设计，适用于电动车辆、工业电源和大功率逆变器等场景。
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- [公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26
- WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体） 推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为 高效率电源转换和电机驱动 设计，适用于 工业、新能源、电动汽车 等高功率应用场景。
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- [公司动态]A3938SLDTR-T Allegro电机预驱动器+高精度控制 汽车级电机控制引擎！2025年07月04日 16:54
- A3938SLDTR-T是Allegro MicroSystems推出的三相无刷直流（BLDC）电机预驱动器，集成MOSFET栅极驱动和电流检测功能，专为12V~60V工业电机系统设计，适用于高精度速度控制场景。
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- [公司动态]FCH072N60F芯片参数及应用解析(已停产)及替代型号-深尚想2025年06月03日 10:04
- 深尚想 FCH072N60F 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）设计生产。它属于 SuperFET? II FRFET? 系列，采用先进的超级结（Super-Junction）技术和电荷平衡设计，专为高效功率转换应用优化。
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- [公司动态]尚想淺析场效应管发热严重的原因2022年09月16日 15:45
- 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。
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- [常见问题]场效应管的特点及其注意事项2022年06月14日 21:45
- 场效应管（MOSFET）是电子产品的基本模块之一，也是制造最为频繁的元件。场效应管是数字和模拟集成电路中占主导作用的元件，也是常见的功率器件。由于具有输入阻抗非常高（可达l09～l015Ω）、噪声低、动态变化范围大和温度系数小，且为电压控制元件等优点，因此应用也较为广泛。那么场效应管的特点及其使用注意事项有哪些？
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- [行业资讯]供给持续紧张，功率半导体目前平均涨价10%2021年07月19日 13:26
- 晶圆缺货影响越来越大，功率半导体行业目前平均涨幅10%，部分产品涨幅更高。 记者日前从供应链多家公司独家获悉，“晶圆缺货严重，不排除有更多涨幅。2021年H1订单排满，甚至有订单排到明年年底。” 近期功率半导体行业涨价并不意外，究其主要原因，还是供给紧张。 光大证券称供给紧张主要有2大原因： 1、8英寸产能重新分配。疫情影响下的平板电脑、PC/NB和面板等出货旺盛，导致驱动IC、触控IC等逻辑产品需求向好，8英寸产能紧张，价值量较少的MOSFET等功
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- [常见问题]关于IGBT管的检测分享2021年06月02日 11:16
- 双极型晶体管、MOSFET管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，即为广泛应用的IGBT管。
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- [常见问题]常见的场效应管有哪些？2021年02月04日 15:10
- MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载
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