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MP2322GQH-Z
MP2322 是一款内置功率 MOSFET 的同步整流降压开关变换器，在轻载条件下具备高效率。MP2322 提供非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 1A 的持续输出电流，具有极好的负载和线性调整率。更多 +
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MP8756GD-Z
MP8756 是一款全集成高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 6A 连续输出电流，具有极好的负载和线性调整率。 MP8756 基于 MPS 专有的开关损耗降低技术和低导通阻抗功率 MOSFET，能在宽输出负载范围内高效率工作。 自适应恒定导通时间控制模式（COT）提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。DC 自动调节环路提供了较好的负载和线性调整率。更多 +
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MGSF1N03LT1G
产品介绍：MGSF1N03L: 单 N 沟道小信号功率 MOSFET 30V，2.1A，100 mΩ。此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。更多 +
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MP2451DT-LF-Z
MP2451是一款集成了内部高端高压MOSFET的高频（2MHz）降压开关调节器。采用电流控制模式，为快速环路响应提供单一的0.6A（或更少）高效输出。3.3V至36V的宽输入范围适用于汽车输入环境中的各种降压应用。3μA关断模式静态电流允许其使用在电池供电应用中。更多 +
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MP2359DJ-LF-Z
MP2359 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压开关转换器。在宽输入范围内，可提供 1.2A 的峰值输出电流，具有极好的负载和线性调节性能。电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。故障保护包括逐周期限流保护和过温保护。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封装，最大限度地减少了现有外部元器件的使用。更多 +
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MP2145GD-Z
MP2145 是一款集成内部功率 MOSFETs 的单片降压开关变换器。在 2.8V 至 5.5V 的输入电压范围内，MP2145 可以实现 6A 的连续输出电流，且具有极好的负载和线性调整率。其输出电压可调节低至 0.6V。更多 +
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MP4026GJ-Z
MP4026是一款原边控制离线LED控制器，可为FCTSOT封装中的隔离式单级功率照明应用提供高功率因数和精确的LED电流。它是广泛应用的MP4021A下一代产品。其专有的实时电流控制方法可通过原边信息精确控制LED电流，具有良好的线性和负载调整率。原边控制减少了副边反馈组件和光耦合器，从而大大简化了LED照明系统的设计。MP402集成了功率因数校正功能，采用临界导通模式，减少了MOSFET开关损耗。更多 +
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MP4688DN-LF-Z
MP4688是一款高压输入降压开关稳压器，可为大功率LED提供高达1A的恒定电流。它集成了一个3.2A典型限流值的上管高压功率MOSFET。其4.5V 至 80V的宽工作输入电压范围使其适用于各种降压应用，包括汽车、工业和普通照明应用。滞环电流模式控制用于提供超快速响应，实现20kHz的调光频率。更多 +
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MP1584EN-LF-Z
MP1584是一款集成了内部高端高压功率MOSFET的高频降压开关稳压器。MP1584采用电流控制模式，可通过简单补偿设计提供3A的电流输出并提供快速环路响应。 4.5V至28V的宽输入范围使其适用于各种降压应用，包括汽车环境中的应用。100μA 的工作静态电流允许其使用在电池供电应用中。 通过在轻载条件下降低开关频率，以减少开关和栅极驱动损耗，MP1584实现了宽负载范围内的高转换效率。 降频功能有助于防止启动过程中电感电流失控，过温保护确保了工作的稳定性和可靠性。更多 +
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MP1494DJ-LF-Z
MP1494 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 2A 的连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。MP1494 在输出电流负载范围内采用同步工作模式以达到高效率。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。全方位保护包括过流保护和过温关断保护。MP1494 最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用，采用节省空间的 8引脚TSOT23 封装。更多 +
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MP150GJ-Z
MP150 是一款原边调节器，可以在无光耦合器的条件下提供精确的恒压（CV）调节。MP150 支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它内部集成了 500V MOSFET，可简化结构，节约成本，是离线低功率应用的理想之选，如家用电器和备 用电源。MP150 是一款绿色节能型调节器。当负载减轻，它的峰值电流和开关频率均会随之降低，这种特性使其在轻载时能达到极高的效率，有效地提升了芯片的整体平均效率。MP150 具备多种保护功能， 包括热保护（TSD）、VCC 欠压锁定保护（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开环保护。MP150 有TSOT23-5 和SOIC8 两种封装可选。更多 +
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MP2303ADN-LF-Z
MP2303 是一款单片同步降压调节器。该器件集成了内部功率MOSFET，可在4.75V至28V的宽工作输入电压范围内提供3A连续负载电流。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。可调软启动功能可避免启动时的浪涌电流。在关断模式下，电源电流低至1μA。该器件采用8引脚SOIC和3mmx3mm 10引脚QFN封装，可提供非常紧凑的系统解决方案，最大限度降低了对外部组件的依赖。更多 +
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CSD19505KCS
Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON5mmx6mm塑料封装。更多 +
- [公司动态]SLM343CK-DG Sillumin数明隔离栅极驱动器，IGBT、MOSFET驱动芯片，赋能工业与新能源2026年09月22日 14:35
- 上海数明半导体（Sillumin）国内高性能隔离模拟芯片，推出SLM343CK-DG，隶属于 SLM34x 系列单通道兼容光耦隔离栅极驱动器，采用自主电容隔离技术，引脚、封装wan全兼容传统光耦驱动方案。芯片拥有 4A 峰值源电流、6A 峰值灌电流大驱动能力，5kVrms 增强隔离耐压，150kV/μs 超高共模瞬态抗扰度，-40℃~+125℃宽温工作区间，兼顾高驱动能力、强抗干扰、长寿命、国产稳定供货多重优势，成为工业电源、新能源逆变、电机变频领域国产替代方案。
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- [公司动态]Littelfuse IXFH60N65X2场效应管MOSFET 650V 高压功率二极管模块，充电桩、高压电机驱动IC2026年09月21日 14:40
- IXFH60N65X2 是 Littelfuse X2-Class 系列 N 沟道增强型超结功率 MOSFET，采用电荷补偿超结工艺，TO-247AD 通孔封装，专为 650V 级高压开关电源、PFC、DC/AC 逆变、高压 DC-DC 设计。器件集成软恢复本征体二极管，支持非钳位感性开关（UIS 雪崩耐受），封装采用低寄生电感设计，适配工业设备quan球出口认证需求。
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