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: MP4026GJ-Z

MP4026是一款原边控制离线LED控制器，可为FCTSOT封装中的隔离式单级功率照明应用提供高功率因数和精确的LED电流。它是广泛应用的MP4021A下一代产品。其专有的实时电流控制方法可通过原边信息精确控制LED电流，具有良好的线性和负载调整率。原边控制减少了副边反馈组件和光耦合器，从而大大简化了LED照明系统的设计。MP402集成了功率因数校正功能，采用临界导通模式，减少了MOSFET开关损耗。
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: MP4688DN-LF-Z

MP4688是一款高压输入降压开关稳压器，可为大功率LED提供高达1A的恒定电流。它集成了一个3.2A典型限流值的上管高压功率MOSFET。其4.5V 至 80V的宽工作输入电压范围使其适用于各种降压应用，包括汽车、工业和普通照明应用。滞环电流模式控制用于提供超快速响应，实现20kHz的调光频率。
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: MP1584EN-LF-Z

MP1584是一款集成了内部高端高压功率MOSFET的高频降压开关稳压器。MP1584采用电流控制模式，可通过简单补偿设计提供3A的电流输出并提供快速环路响应。 4.5V至28V的宽输入范围使其适用于各种降压应用，包括汽车环境中的应用。100μA 的工作静态电流允许其使用在电池供电应用中。通过在轻载条件下降低开关频率，以减少开关和栅极驱动损耗，MP1584实现了宽负载范围内的高转换效率。降频功能有助于防止启动过程中电感电流失控，过温保护确保了工作的稳定性和可靠性。
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: MP1494DJ-LF-Z

MP1494 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 2A 的连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。MP1494 在输出电流负载范围内采用同步工作模式以达到高效率。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。全方位保护包括过流保护和过温关断保护。MP1494 最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用，采用节省空间的 8引脚TSOT23 封装。
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: MP150GJ-Z

MP150 是一款原边调节器，可以在无光耦合器的条件下提供精确的恒压（CV）调节。MP150 支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它内部集成了 500V MOSFET，可简化结构，节约成本，是离线低功率应用的理想之选，如家用电器和备用电源。MP150 是一款绿色节能型调节器。当负载减轻，它的峰值电流和开关频率均会随之降低，这种特性使其在轻载时能达到极高的效率，有效地提升了芯片的整体平均效率。MP150 具备多种保护功能，包括热保护（TSD）、VCC 欠压锁定保护（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开环保护。MP150 有TSOT23-5 和SOIC8 两种封装可选。
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: MP2303ADN-LF-Z

MP2303 是一款单片同步降压调节器。该器件集成了内部功率MOSFET，可在4.75V至28V的宽工作输入电压范围内提供3A连续负载电流。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。可调软启动功能可避免启动时的浪涌电流。在关断模式下，电源电流低至1μA。该器件采用8引脚SOIC和3mmx3mm 10引脚QFN封装，可提供非常紧凑的系统解决方案，最大限度降低了对外部组件的依赖。
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: FQP4N90C

产品介绍：此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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: FOD3120SD

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar? 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
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: FOD3182SD

产品介绍： FOD3182是一款3A输出电流，高速MOSFET门极驱动器光耦合器。它包含一个与CMOS检测器进行光耦合的镓铝砷(AlGaAs)发光二极管(LED)，该检测器带有集成了PMOS和NMOS输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板(PDP)、电机控制逆变器应用和高性能DC-DC转换器中使用的功率MOSFET的高频驱动。该器件封装在8引脚双线内外壳中，可兼容260°C回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。
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: CSD19505KCS

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON5mmx6mm塑料封装。
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[行业资讯]安森美定制MOSFET方案，拯救客户12V电动助力转向系统生产危机2025年07月22日 17:45: 汽车行业竞争激烈，节奏飞快，只有快速适应和持续创新才能让企业立于不败之地。在本成功案例中，安森美 (onsemi)深入理解并解决客户痛点，及时快速向客户交付了适用于其 12 V 电动助力转向系统 (EPS) 的创新解决方案。; 阅读（62）标签：

[公司动态]ISL8121IRZ-T 瑞萨电子Renesas高效双路同步降压控制器【5G基站、AI服务器】专用2025年07月17日 17:08: ISL8121IRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的双路同步降压控制器，采用QFN-24封装，专为5G基站、AI服务器、高端GPU供电等严苛应用打造。这款芯片凭借业界领先的转换效率（高达97%）和智能数字控制技术，正在重新定义大电流电源解决方案的标准！; 阅读（54）标签：

[公司动态]HIP4082IBZT 全桥MOSFET驱动器【高效能动力控制核心】2025年07月17日 16:11: HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的一款全桥N沟道MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为H桥电机驱动、DC-AC逆变器等应用设计。该芯片具备高驱动能力、低传播延迟和智能死区控制，可显著提升功率转换效率，适用于工业自动化、新能源及消费电子等领域。; 阅读（55）标签：

[公司动态]IXFH320N10T2 IXYS 超快二极管MOS 工业级超高电流开关应用2025年07月04日 17:43: IXFH320N10T2是IXYS（现属Littelfuse）推出的100V/320A N沟道功率MOSFET，采用TO-247 Plus封装，专为超高电流开关应用设计，适用于电动车辆、工业电源和大功率逆变器等场景。; 阅读（54）标签：

[公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26: WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体）推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为高效率电源转换和电机驱动设计，适用于工业、新能源、电动汽车等高功率应用场景。; 阅读（66）标签：

[公司动态]A3938SLDTR-T Allegro电机预驱动器+高精度控制汽车级电机控制引擎！2025年07月04日 16:54: A3938SLDTR-T是Allegro MicroSystems推出的三相无刷直流（BLDC）电机预驱动器，集成MOSFET栅极驱动和电流检测功能，专为12V~60V工业电机系统设计，适用于高精度速度控制场景。; 阅读（53）标签：

[公司动态]FCH072N60F芯片参数及应用解析(已停产)及替代型号-深尚想2025年06月03日 10:04: 深尚想 FCH072N60F 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）设计生产。它属于 SuperFET? II FRFET? 系列，采用先进的超级结（Super-Junction）技术和电荷平衡设计，专为高效功率转换应用优化。; 阅读（54）标签：

[公司动态]尚想淺析场效应管发热严重的原因2022年09月16日 15:45: 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。; 阅读（28）标签：

[常见问题]场效应管的特点及其注意事项2022年06月14日 21:45: 场效应管（MOSFET）是电子产品的基本模块之一，也是制造最为频繁的元件。场效应管是数字和模拟集成电路中占主导作用的元件，也是常见的功率器件。由于具有输入阻抗非常高（可达l09～l015Ω）、噪声低、动态变化范围大和温度系数小，且为电压控制元件等优点，因此应用也较为广泛。那么场效应管的特点及其使用注意事项有哪些？; 阅读（27）标签：场效应管

[行业资讯]供给持续紧张，功率半导体目前平均涨价10%2021年07月19日 13:26: 晶圆缺货影响越来越大，功率半导体行业目前平均涨幅10%，部分产品涨幅更高。记者日前从供应链多家公司独家获悉，“晶圆缺货严重，不排除有更多涨幅。2021年H1订单排满，甚至有订单排到明年年底。” 近期功率半导体行业涨价并不意外，究其主要原因，还是供给紧张。光大证券称供给紧张主要有2大原因： 1、8英寸产能重新分配。疫情影响下的平板电脑、PC/NB和面板等出货旺盛，导致驱动IC、触控IC等逻辑产品需求向好，8英寸产能紧张，价值量较少的MOSFET等功; 阅读（39）标签：行业资讯

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