- [行业资讯]全新BSS127S-7 600V高压SOT-23小信号MOSFET场效应管 DIODES美台，开关电源芯片IC2026年06月08日 17:47
- BSS127S-7是DIODES（美台）推出的BSS127S-7小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。
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- [行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25
- IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。
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- [公司动态]全新MP9943GQ-Z_同步降压 DC-DC 转换器 MPS芯源_电子元器件IC 芯片2026年03月27日 11:12
- MP9943GQ-Z 是 Monolithic Power Systems芯源（MPS）推出的一款36V/3A 同步降压 DC-DC 转换器，采用紧凑的 QFN-8 (3x3mm) 封装。它集成了 85mΩ/55mΩ 低导通电阻功率 MOSFET，支持高达 36V 的宽输入电压范围和 3A 连续输出电流，广泛应用于工业自动化、汽车电子、通信设备和消费电子等领域高效电源转换。
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- [行业资讯]安森美定制MOSFET方案，拯救客户12V电动助力转向系统生产危机2025年07月22日 17:45
- 汽车行业竞争激烈，节奏飞快，只有快速适应和持续创新才能让企业立于不败之地。在本成功案例中，安森美 (onsemi)深入理解并解决客户痛点，及时快速向客户交付了适用于其 12 V 电动助力转向系统 (EPS) 的创新解决方案。
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- [公司动态]ISL8121IRZ-T 瑞萨电子Renesas高效双路同步降压控制器 【5G基站、AI服务器】专用2025年07月17日 17:08
- ISL8121IRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的双路同步降压控制器，采用QFN-24封装，专为5G基站、AI服务器、高端GPU供电等严苛应用打造。这款芯片凭借业界领先的转换效率（高达97%）和智能数字控制技术，正在重新定义大电流电源解决方案的标准！
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- [行业资讯]HIP4082IBZT 全桥MOSFET驱动器 【高效能动力控制核心】2025年07月17日 16:11
- HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的一款全桥N沟道MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为H桥电机驱动、DC-AC逆变器等应用设计。该芯片具备高驱动能力、低传播延迟和智能死区控制，可显著提升功率转换效率，适用于工业自动化、新能源及消费电子等领域。
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- [公司动态]IXFH320N10T2 IXYS 超快二极管MOS 工业级超高电流开关应用2025年07月04日 17:43
- IXFH320N10T2是IXYS（现属Littelfuse）推出的100V/320A N沟道功率MOSFET，采用TO-247 Plus封装，专为超高电流开关应用设计，适用于电动车辆、工业电源和大功率逆变器等场景。
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- [公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26
- WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体） 推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为 高效率电源转换和电机驱动 设计，适用于 工业、新能源、电动汽车 等高功率应用场景。
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- [公司动态]A3938SLDTR-T Allegro电机预驱动器+高精度控制 汽车级电机控制引擎！2025年07月04日 16:54
- A3938SLDTR-T是Allegro MicroSystems推出的三相无刷直流（BLDC）电机预驱动器，集成MOSFET栅极驱动和电流检测功能，专为12V~60V工业电机系统设计，适用于高精度速度控制场景。
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- [公司动态]FCH072N60F芯片参数及应用解析(已停产)及替代型号-深尚想2025年06月03日 10:04
- 深尚想 FCH072N60F 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）设计生产。它属于 SuperFET? II FRFET? 系列，采用先进的超级结（Super-Junction）技术和电荷平衡设计，专为高效功率转换应用优化。
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- [公司动态]尚想淺析场效应管发热严重的原因2022年09月16日 15:45
- 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。
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- [常见问题]场效应管的特点及其注意事项2022年06月14日 21:45
- 场效应管（MOSFET）是电子产品的基本模块之一，也是制造最为频繁的元件。场效应管是数字和模拟集成电路中占主导作用的元件，也是常见的功率器件。由于具有输入阻抗非常高（可达l09～l015Ω）、噪声低、动态变化范围大和温度系数小，且为电压控制元件等优点，因此应用也较为广泛。那么场效应管的特点及其使用注意事项有哪些？
- 阅读（72）
- [行业资讯]供给持续紧张，功率半导体目前平均涨价10%2021年07月19日 13:26
- 晶圆缺货影响越来越大，功率半导体行业目前平均涨幅10%，部分产品涨幅更高。 记者日前从供应链多家公司独家获悉，“晶圆缺货严重，不排除有更多涨幅。2021年H1订单排满，甚至有订单排到明年年底。” 近期功率半导体行业涨价并不意外，究其主要原因，还是供给紧张。 光大证券称供给紧张主要有2大原因： 1、8英寸产能重新分配。疫情影响下的平板电脑、PC/NB和面板等出货旺盛，导致驱动IC、触控IC等逻辑产品需求向好，8英寸产能紧张，价值量较少的MOSFET等功
- 阅读（77）
- [常见问题]关于IGBT管的检测分享2021年06月02日 11:16
- 双极型晶体管、MOSFET管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，即为广泛应用的IGBT管。
- 阅读（149）
- [常见问题]常见的场效应管有哪些？2021年02月04日 15:10
- MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载
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