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[公司动态]Littelfuse/IXYS IXFH320N10T2 N 沟道增强型沟槽栅功率 MOSFET，中低压大电流器件IC2026年09月21日 14:05: IXFH320N10T2 是 Littelfuse（原 IXYS）Gen2 系列 N 沟道增强型沟槽栅功率 MOSFET，采用 HiPerFET zhuan利工艺，TO-247AD 直插封装，专为高频大功率开关、同步整流、直流斩波等场景开发的中低压大电流器件。其内置优化的本征体二极管，具备可靠的雪崩耐受能力，支持硬开关与谐振开关两种工作模式，同时满足 RoHS 环保标准，封装环氧树脂达到 UL94V-0 阻燃等级，可广泛适用于工业、储能、车载非安全域等严苛工况。; 阅读（1007）标签：MOSFET

[行业资讯]深尚想AON6280 AOS 80V MOS功率MOSFET场效应管，电源管理芯片IC模块2026年06月29日 13:57: AON6280是AOS（Alpha & Omega Semiconductor）推出的一款N沟道功率MOSFET场效应管晶体管，采用先进的沟槽MOSFET技术制造，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。器件采用8-DFN（5x6mm）表面贴装封装，是AOS中压MOSFET产品组合中的旗舰型号。; 阅读（968）标签：MOSFET

[行业资讯]现货EPM570F256C5N I/O CPLD可编程逻辑芯片IC Intel/Altera 工业控制与通2026年06月09日 10:29: EPM570F256C5N?是Intel（原Altera）推出的CPLD - 复杂可编程逻辑器件，它基于成熟的0.18μm低功耗工艺，在256-FBGA（17×17mm）紧凑封装内，集成了570个逻辑单元（LE）、等效440个宏单元、160个用户I/O以及5.4ns的极速引脚到引脚延迟，以即时启动、非易失性架构和低至29μA的待机功耗，为工业控制、通信网络和汽车电子等对成本敏感且需实现快速并行逻辑处理的嵌入式应用提供了兼顾性能、功耗与性价比的理想硬件平台。; 阅读（950）标签：场效应管

[行业资讯]全新BSS127S-7 600V高压SOT-23小信号MOSFET场效应管 DIODES美台，开关电源芯片IC2026年06月08日 17:47: BSS127S-7是DIODES（美台）推出的BSS127S-7小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。; 阅读（952）标签：场效应管

[行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25: IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。; 阅读（956）标签：MOSFET场效应管

[公司动态]全新MP9943GQ-Z_同步降压 DC-DC 转换器 MPS芯源_电子元器件IC 芯片2026年03月27日 11:12: MP9943GQ-Z 是 Monolithic Power Systems芯源（MPS）推出的一款36V/3A 同步降压 DC-DC 转换器，采用紧凑的 QFN-8 (3x3mm) 封装。它集成了 85mΩ/55mΩ 低导通电阻功率 MOSFET，支持高达 36V 的宽输入电压范围和 3A 连续输出电流，广泛应用于工业自动化、汽车电子、通信设备和消费电子等领域高效电源转换。; 阅读（164）标签：

[行业资讯]安森美定制MOSFET方案，拯救客户12V电动助力转向系统生产危机2025年07月22日 17:45: 汽车行业竞争激烈，节奏飞快，只有快速适应和持续创新才能让企业立于不败之地。在本成功案例中，安森美 (onsemi)深入理解并解决客户痛点，及时快速向客户交付了适用于其 12 V 电动助力转向系统 (EPS) 的创新解决方案。; 阅读（254）标签：

[公司动态]ISL8121IRZ-T 瑞萨电子Renesas高效双路同步降压控制器【5G基站、AI服务器】专用2025年07月17日 17:08: ISL8121IRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的双路同步降压控制器，采用QFN-24封装，专为5G基站、AI服务器、高端GPU供电等严苛应用打造。这款芯片凭借业界领先的转换效率（高达97%）和智能数字控制技术，正在重新定义大电流电源解决方案的标准！; 阅读（97）标签：

[行业资讯]HIP4082IBZT 全桥MOSFET驱动器【高效能动力控制核心】2025年07月17日 16:11: HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的一款全桥N沟道MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为H桥电机驱动、DC-AC逆变器等应用设计。该芯片具备高驱动能力、低传播延迟和智能死区控制，可显著提升功率转换效率，适用于工业自动化、新能源及消费电子等领域。; 阅读（196）标签：

[公司动态]IXFH320N10T2 IXYS 超快二极管MOS 工业级超高电流开关应用2025年07月04日 17:43: IXFH320N10T2是IXYS（现属Littelfuse）推出的100V/320A N沟道功率MOSFET，采用TO-247 Plus封装，专为超高电流开关应用设计，适用于电动车辆、工业电源和大功率逆变器等场景。; 阅读（124）标签：

[公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26: WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体）推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为高效率电源转换和电机驱动设计，适用于工业、新能源、电动汽车等高功率应用场景。; 阅读（146）标签：

[公司动态]A3938SLDTR-T Allegro电机预驱动器+高精度控制汽车级电机控制引擎！2025年07月04日 16:54: A3938SLDTR-T是Allegro MicroSystems推出的三相无刷直流（BLDC）电机预驱动器，集成MOSFET栅极驱动和电流检测功能，专为12V~60V工业电机系统设计，适用于高精度速度控制场景。; 阅读（125）标签：

[公司动态]FCH072N60F芯片参数及应用解析(已停产)及替代型号-深尚想2025年06月03日 10:04: 深尚想 FCH072N60F 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）设计生产。它属于 SuperFET? II FRFET? 系列，采用先进的超级结（Super-Junction）技术和电荷平衡设计，专为高效功率转换应用优化。; 阅读（91）标签：

[公司动态]尚想淺析场效应管发热严重的原因2022年09月16日 15:45: 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。; 阅读（58）标签：

[常见问题]场效应管的特点及其注意事项2022年06月14日 21:45: 场效应管（MOSFET）是电子产品的基本模块之一，也是制造最为频繁的元件。场效应管是数字和模拟集成电路中占主导作用的元件，也是常见的功率器件。由于具有输入阻抗非常高（可达l09～l015Ω）、噪声低、动态变化范围大和温度系数小，且为电压控制元件等优点，因此应用也较为广泛。那么场效应管的特点及其使用注意事项有哪些？; 阅读（95）标签：场效应管

[行业资讯]供给持续紧张，功率半导体目前平均涨价10%2021年07月19日 13:26: 晶圆缺货影响越来越大，功率半导体行业目前平均涨幅10%，部分产品涨幅更高。记者日前从供应链多家公司独家获悉，“晶圆缺货严重，不排除有更多涨幅。2021年H1订单排满，甚至有订单排到明年年底。” 近期功率半导体行业涨价并不意外，究其主要原因，还是供给紧张。光大证券称供给紧张主要有2大原因： 1、8英寸产能重新分配。疫情影响下的平板电脑、PC/NB和面板等出货旺盛，导致驱动IC、触控IC等逻辑产品需求向好，8英寸产能紧张，价值量较少的MOSFET等功; 阅读（104）标签：行业资讯

[常见问题]关于IGBT管的检测分享2021年06月02日 11:16: 双极型晶体管、MOSFET管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，即为广泛应用的IGBT管。; 阅读（180）标签：常见问题

[常见问题]常见的场效应管有哪些？2021年02月04日 15:10: MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载; 阅读（569）标签：常见问题

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