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DMT69M5LFVW-7
产品介绍：DMT69M5LFVW-7是DIODES品牌的60V N沟道MOSFET，采用PowerDI3333-8封装，连续漏极电流最高可达45.4A，在10V驱动电压环境中，导通电阻低至9.5mΩ，能有效降低大电流场景下的导通损耗。广泛应用于工业电源与电机驱动、高效率DC-DC转换器和电动工具与电池管理系统更多 +
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RCLAMP2402B.TCT
产品介绍：BSS127S-7是DIODES（美台）推出的小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。更多 +
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IPT007N06N
产品介绍：IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS 5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。更多 +
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MMBD7000LT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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MMBZ5232BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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UCC27524DR
产品介绍：UCC27524DR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款双通道、5A 高速低侧栅极驱动器，采用紧凑的SOIC-8 封装，专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等开关器件而设计。它凭借5A 峰值拉灌电流、17ns 超低传播延迟、1ns 通道间延迟匹配以及4.5V 至 18V 宽电源电压范围，在开关电源、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电等领域中广泛应用。更多 +
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MMBZ5231BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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AP7370-50SA-7
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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MMSZ5236B-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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MMSZ5254BQ-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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DMG2302UKQ-7
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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BSS138-7-F
产品介绍：BSS138-7-F 是一款由 Diodes Incorporated（美台半导体）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET，N-MOSFET逻辑电平MOSFET，50V/220mA，和2N7002齐名，尤其适合3.3V系统，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的信号开关与电平转换场景更多 +
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SLMi350DB-DG
产品介绍：SLMi350DB-DG是数明半导体（Sillumin）推出的一款单通道、电容隔离式栅极驱动器,核心功能是高效、安全地驱动功率开关器件（如MOSFET、IGBT）并实现高压电气隔离。更多 +
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BUK7M6R0-40HX
产品介绍：Nexperia（安世）是一家起源于荷兰的半导体公司。是全球领先的分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的制造商。主要生产二极管、晶体管、ESD保护器件、逻辑ICs以及MOSFETs等分立和逻辑元件。更多 +
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