- [行业资讯]深尚想BYC15-1200P WeEn瑞能1200V/15A超高速功率二极管，集成电路IC芯片2026年07月23日 11:35
- 瑞能半导体（WeEn Semiconductors）BYC15-1200P超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode）。它采用瑞能的EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺，在TO-220AC标准封装内实现了1200V反向耐压、15A平均整流电流、45ns反向恢复时间的卓越性能组合。凭借软恢复特性、175℃高工作结温、200A浪涌承受能力以及低反向漏电流，BYC15-1200P为各类高可靠性、高能效的电力电子应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。
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- [行业资讯]BYC30-1200P WeEn瑞能1200V/30A超高速功率二极管，为高能效电力电子系统打造的核心器件2026年07月23日 11:06
- BYC30-1200P是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode），属于BYC30系列产品线。该器件采用瑞能EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺制造，在TO-220AC两引脚塑料封装内集成了高性能单二极管，以通孔方式安装。
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- [行业资讯]RHRP860 onsemi安森美600V/8A超高速软恢复二极管，开关电源与功率变换专业芯片2026年07月23日 10:33
- 安森美（onsemi）RHRP860超高速恢复二极管（Hyperfast Diode）。它采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构，在TO-220AC封装内实现了600V反向耐压、8A平均整流电流、35ns反向恢复时间的卓越性能组合。其恢复时间仅为传统超快恢复二极管的一半，同时具备软恢复特性，可显著降低开关电路中的振铃和电气噪声。凭借100A浪涌承受能力、-65℃至175℃宽工作结温范围以及100μA超低反向漏电流，RHRP860为各类高可靠性、高能效的功率变换应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。
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- [行业资讯]尚想信息LTR-390UV-01环境光传感器LITEON光宝 集成电路IC芯片2026年07月22日 13:55
- 光宝科技（Lite-On）LTR-390UV-01它将高灵敏度紫外线传感器与宽动态范围环境光传感器集成于超小型DFN封装中，通过I2C接口输出数字化的UV指数和ALS数据。凭借出色的UV-A/B响应、低至1.8V的工作电压、超低功耗和优异的环境光抑制能力，LTR-390UV-01为各类需要精准光学感知的设备提供了一套高集成、低功耗、易开发的解决方案。
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- [行业资讯]现货NCV20071SN2T1G onsemi安森美车规级3MHz轨到轨运算放大器，电源管理芯片IC2026年07月09日 17:10
- NCV20071SN2T1G是安森美（onsemi）设计生产的车规级CMOS运算放大器。它采用TSOP-5超小型封装，在2.7V至36V的宽电源范围内实现了3MHz带宽、2.8V/μs压摆率、每通道仅405μA超低静态电流的卓越性能组合。它通过了AEC-Q100车规级认证并具备PPAP能力，为汽车电子、工业控制和传感器信号链提供了一套高精度、低功耗、高可靠性的通用放大解决方案。
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- [行业资讯]现货BT155W-1200TQ（WeEn）瑞能SCR晶闸管(可控硅)/模块2026年07月07日 14:54
- BT155W-1200TQ是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款平面钝化硅控整流器（SCR）晶闸管，采用TO-247塑料封装，专为需要极高浪涌电流承受能力和高热循环性能的应用而设计
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- [行业资讯]深尚想AON6280 AOS 80V MOS功率MOSFET场效应管，电源管理芯片IC模块2026年06月29日 13:57
- AON6280是AOS（Alpha & Omega Semiconductor）推出的一款N沟道功率MOSFET场效应管晶体管，采用先进的沟槽MOSFET技术制造，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。器件采用8-DFN（5x6mm）表面贴装封装，是AOS中压MOSFET产品组合中的旗舰型号。
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- [行业资讯]深尚想W25Q32JVSSIQ Winbond华邦32M-bit高性能串行NOR Flash存储器芯片IC2026年06月26日 15:02
- W25Q32JVSSIQ是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款32M-bit（4M-byte）串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦W25Q SpiFlash多I/O存储器家族，采用流行的串行外设接口（SPI），W25Q32JVSSIQ芯片支持4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除和全片擦除等多种擦除粒度。1,024个可擦除扇区和64个可擦除块的架构，为开发者提供了精细化的存储管理能力。
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- [行业资讯]现货W25X40CLSNIG串行闪存芯片4Mb NOR FLASH Winbond华邦存储器2026年06月22日 15:45
- W25X40CLSNIG是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款4M-bit串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦25X系列产品线，以紧凑的SOIC-8封装，标准SPI接口、双I/O模式，超低功耗和卓越的可靠性，广泛用于工业控制、通信设备、消费电子、物联网等场景，适合代码存储、语音和数据记录等需求。
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- [行业资讯]1Mb NOR FLASH W25X10CLSNIG串行闪存芯片Winbond华邦存储器IC芯片2026年06月17日 16:49
- W25X10CLSNIG是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款1M-bit（128K×8bit）串行NOR Flash存储器芯片，以紧凑的SOIC-8封装、标准SPI接口，它属于华邦25X系列产品线，超低功耗和卓越的可靠性，为空间、引脚和电源受限的系统提供了一套“小而美”的存储解决方案。
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- [行业资讯]全新W25Q64JVSSIM 64Mb SPI NOR Flash闪存芯片，Winbond华邦工业级存储IC2026年06月05日 14:06
- W25Q64JVSSIM是Winbond（华邦电子）推出的64Mbit串行NOR闪存芯片，它凭借133MHz四线SPI高速接口、64Mbit（8MB）存储容量、10μA超低待机功耗和-40°C至+85°C工业宽温范围，在一个紧凑的SOIC-8-208mil封装内，为您提供一个兼顾高性能、高可靠性与高性价比的理想代码存储方案。
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- [行业资讯]全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi（安森美）开关电源芯片IC2026年06月03日 17:59
- STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
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- [行业资讯]全新STTH212U 1200V 2A 超快恢复二极管ST意法半导体 电源芯片IC2026年06月03日 17:36
- STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
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- [行业资讯]全新MX30LF2G28AD-TI 2Gbit SLC 并行NAND FLASH闪存芯片 旺宏电子 存储芯片IC2026年06月03日 17:19
- MX30LF2G28AD-TI是旺宏电子（Macronix International Co., Ltd.）推出的NAND闪存，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）单级单元架构，在业界标准的48-TSOP封装内，实现了2Gbit（256MB）的大容量存储、16ns/20ns的高速读写性能以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，凭借SLC架构的高耐用性、完备的坏块管理功能和旺宏原厂逾30年的闪存技术积累，成为对数据持久性和环境适应性有严苛要求的嵌入式系统存储升级的首选方案。
- 阅读（956）
- [行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25
- IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。
- 阅读（952）
- [行业资讯]全新8Gb DDR4 NT5AD512M16C4-JR存储芯片Nanya南亚2026年06月02日 17:43
- NT5AD512M16C4-JR是Nanya（南亚科技）推出的?8Gb DDR4 SDRAM内存芯片，它采用先进的DDR4低功耗架构，在96-ball FBGA（7.5mm × 13mm）紧凑封装内，实现了8Gbit（1GB）存储容量、512M×16位组织架构、3200Mbps最高数据传输速率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，以DDR4技术代际优势为各类型嵌入式系统和高速数据处理器提供了兼具高性能、低功耗与长期稳定供货的可靠内存解决方案。
- 阅读（996）
- [行业资讯]全新DDR3L SDRAM 2Gb W632GU6RB-09闪存芯片Winbond华邦存储芯片IC2026年06月02日 16:47
- W632GU6RB-09是Winbond（华邦）推出的2Gbit DDR3L SDRAM存储器芯片，它采用先进的DDR3L低电压架构，在96-ball VFBGA紧凑封装内，实现了4Gbit存储容量、256M x 16组织架构、1.066GHz工作频率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，为严苛环境下的嵌入式系统和高速数据处理提供了兼具高性能与低功耗的理想内存解决方案。
- 阅读（954）
- [行业资讯]全新128Mbit高速SPI NOR Flash W25Q128JVSIQ Winbond华邦 存储芯片 电源管理IC2026年06月01日 13:53
- W25Q128JVSIQ是Winbond（华邦）推出的128Mbit高速串行NOR Flash，正是为满足这一需求而设计。作为华邦SpiFlash系列的核心成员，它在标准的SOIC-8-208mil封装内，集成了128Mbit存储容量、133MHz高速四线SPI接口、100,000次擦写寿命以及-40°C至85°C工业级宽温特性，为各类嵌入式系统提供了高效、可靠的代码存储和数据存储解决方案。
- 阅读（988）
- [行业资讯]全新W25N02KVZEIR 2Gbit SPI NAND Flash华邦Winbond工业级存储芯片2026年05月29日 16:22
- W25N02KVZEIR是华邦（Winbond）推出的2Gbit（256MB）QspiNAND Flash存储器，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）NAND架构，在紧凑的WSON-8（8×6mm）封装内，将2Gbit大容量、104MHz四线SPI高速接口、片上8位ECC纠错以及-40°C至85°C工业级宽温工作融为一体，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案。
- 阅读（957）
- [行业资讯]全新10CL006YU256C8G现场可编程门阵列（FPGA）芯片 Intel 256-BGA 逻辑芯片IC2026年05月29日 15:45
- 10CL006YU256C8G是Intel（原Altera）Cyclone 10 LP系列中的低成本低功耗现场可编程门阵列（FPGA）逻辑芯片IC基于成熟的60nm低功耗工艺（LP，即Low Power），在256-BGA（14mm×14mm）紧凑封装内，集成了6,272个逻辑单元（LE）、176个用户I/O、276,480位嵌入式内存以及多达65个LVDS差分对，以20mW（典型值）静态功耗、0°C至85°C商业级宽温工作以及可选的-40°C至100°C工业级型号（如YU256I7G），专为低成本、低静态功耗场景设计。
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