- [行业资讯]全新W25N02KVZEIR 2Gbit SPI NAND Flash华邦Winbond工业级存储芯片2026年05月29日 16:22
- W25N02KVZEIR是华邦（Winbond）推出的2Gbit（256MB）QspiNAND Flash存储器，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）NAND架构，在紧凑的WSON-8（8×6mm）封装内，将2Gbit大容量、104MHz四线SPI高速接口、片上8位ECC纠错以及-40°C至85°C工业级宽温工作融为一体，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案。
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- [行业资讯]全新10CL006YU256C8G现场可编程门阵列（FPGA）芯片 Intel 256-BGA 逻辑芯片IC2026年05月29日 15:45
- 10CL006YU256C8G是Intel（原Altera）Cyclone 10 LP系列中的低成本低功耗现场可编程门阵列（FPGA）逻辑芯片IC基于成熟的60nm低功耗工艺（LP，即Low Power），在256-BGA（14mm×14mm）紧凑封装内，集成了6,272个逻辑单元（LE）、176个用户I/O、276,480位嵌入式内存以及多达65个LVDS差分对，以20mW（典型值）静态功耗、0°C至85°C商业级宽温工作以及可选的-40°C至100°C工业级型号（如YU256I7G），专为低成本、低静态功耗场景设计。
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- [行业资讯]全新W25N01GVZEIG 1Gbit SLC SPI NAND闪存芯片 Winbond华邦 电子元器件 IC芯片2026年05月26日 16:02
- W25N01GVZEIG是Winbond（华邦电子）推出的1Gbit SPI NAND闪存芯片，集成WSON-8（8mm×6mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储和104MHz的四线SPI高速接口，内置片上ECC纠错模块和坏块管理系统，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性、低成本和高开发效率的理想非易失性存储解决方案。主要用于小空间场景的电压调节。
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- [行业资讯]全新MMBZ5232BLT1G 5.6V SOT-23 稳压二极管ON安森美 电子元器件IC芯片2026年05月26日 15:32
- MMBZ5232BLT1G是ON Semiconductor（安森美半导体）推出的表面贴装稳压二极管，采用SOT-23-3微型封装，提供了5.6V标称稳压值、±5%的稳压容差、225mW功率耗散以及低至11Ω的动态阻抗，是手机、手持便携设备和高密度PC板等空间受限应用中电压调节与电路保护，主要用于小空间场景的电压调节。
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- [行业资讯]全新TMS320F28062PZT 90MHz实时控制DSP微控制器/单片机 TI德州仪器芯片IC 深尚想科技2026年05月22日 17:20
- TMS320F28062PZT德州仪器（TI）推出的Piccolo 32位微控制器（DSC），正是为破解这一困局而生。它基于C28x DSP内核，在100引脚LQFP封装内，集成了90MHz高实时运算性能、单精度浮点单元（FPU，Floating-Point Unit）、128KB闪存（Flash，6倍速等效）、52KB SRAM以及16通道高精度PWM与16通道12位ADC，更搭载了业内独特的可编程控制律加速器（CLA，Control Law Accelerator）和VCU（Viterbi、复杂数学、CRC单元）硬件加速引擎，为电机控制、数字电源及可再生能源系统提供了兼具DSP高速浮点算力与MCU高集成外设的理想实时控制平台。
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- [行业资讯]全新NCP1340B3D1R2G高集成度准谐振反激控制器onsemi电子元器件IC芯片2026年05月21日 14:27
- NCP1340B3D1R2G是onsemi（安森美半导体）推出的高度集成准谐振反激控制器，在紧凑的SOIC-9封装内，集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护（OPP），以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能，为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案，适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。
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- [行业资讯]全新5CEBA4U15I7N 49K LEs 工业级FPGA可编程逻辑器件 Altera/Intel 电子元器件IC2026年05月18日 14:42
- 5CEBA4U15I7N是Intel（原Altera）Cyclone V E系列FPGA中的5CEBA4U15I7N，作为Cyclone V E系列的中坚力量，它基于成熟的28nm低功耗工艺，在324-UBGA小型封装内，集成了49K逻辑单元（LE）、3.46Mbits嵌入式RAM、176个用户I/O以及高达925MHz的时钟管理能力，以-40°C至100°C的工业级宽温范围和Active稳定供货的生命周期状态，为工业控制、能源管理、轨道交通等要求严苛的嵌入式应用提供了兼具高性能、高可靠性与高性价比的理想算力平台。
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- [行业资讯]现货LTR-390UV-01光学传感器光宝LITEON电子元器件IC芯片2026年05月13日 17:31
- LTR-390UV-01是光宝（LITEON）推出的一款集成式低电压双通道光学传感器，采用超小型 2x2mm DFN-6 封装，集成了环境光传感器（ALS）和紫外线传感器（UVS），支持通过 I2C 接口 输出数字信号，具备高灵敏度与低功耗特性，同时集成了环境光传感（ALS） 和紫外线传感（UVS） 两项功能，通过I2C接口直接输出数字信号，广泛应用于智能穿戴设备、移动终端及环境监测系统中。
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- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器，它基于成熟的NAND Flash内存核心，采用标准SPI四线接口，在紧凑的WSON-8（6mm×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块，为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案，广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
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- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEWIGR 1Gbit SPI NAND Flash GD兆易创新 嵌入式存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEWIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 SPI NAND Flash存储器，它基于SLC（Single-Level Cell）NAND Flash核心，采用业界标准的 ?DTR/Dual/Quad SPI 串行接口，在紧凑的WSON-8（6×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的海量存储容量、高达133MHz的高速读写与内置硬件ECC纠错模块等特性，为系统设计工程师提供了大容量、高可靠性且极其易用的存储解决方案。
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- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:26
- GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器，它基于成熟的NAND Flash内存核心，采用标准SPI四线接口，在紧凑的WSON-8（6mm×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块，为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案，广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
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- [公司动态]现货W66DP2RQQAHJ 8Gb容量LPDDR4低功耗动态随机存取存储器Winbond芯片IC2026年05月07日 17:37
- W66DP2RQQAHJ是由 Winbond（华邦）生产的一款 8Gb（1GB）容量的 LPDDR4/4X 低功耗双倍数据速率动态随机存取存储器（DRAM），采用 DDP（双晶粒封装）技术，适用于高性能、低功耗的移动与嵌入式设备。
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- [公司动态]现货供应W634GU6RB-09车载级 4Gb DDR3L SDRAM华邦存储芯片2026年05月07日 17:20
- W634GU6RB-09是由 Winbond（华邦）生产的一款 4Gb（512MB）容量的 DDR3L SDRAM 存储器芯片，它采用先进的DDR3L低电压架构，在96-ball VFBGA紧凑封装内，实现了1.067GHz的高工作频率、4Gbit存储容量、256M x 16组织架构以及-40℃至+95℃工业/车载级宽温工作范围，适用于对功耗敏感的嵌入式与便携式设备。
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- [公司动态]全新CLA80E1200HF 1200V/80A 晶闸管(可控硅整流器SCR)/模块——IXYS艾赛斯 原装IC芯片2026年04月27日 14:49
- CLA80E1200HF是Littelfuse旗下IXYS Corporation推出的High Efficiency SCR（Silicon Controlled Rectifier，可控硅整流器），正是为满足这一严苛需求而设计。作为IXYS高效率晶闸管系列的明星型号，它采用PLUS247-3通孔封装，在紧凑的尺寸内实现了1200V高阻断电压、80A平均通态电流以及970A浪涌承受能力，广泛应用于工业电源、电机控制和功率调节系统中。
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- [公司动态]全新NCS2250SN2T1G 模拟比较器onsemi（安森美）电源管理模块IC 全面解析2026年04月24日 15:09
- onsemi（安森美）推出的NCS2250SN2T1G低电压高速比较器，正是为破解这一困局而设计。它采用50 ns（100 mV过驱动）的快速传播延迟、1.8V至5.5V的宽工作电压范围、轨到轨输入/输出能力以及推挽输出架构，在一个紧凑的TSOP-5（SOT23-5）封装内，为各类便携和电池供电系统提供了兼具高性能与低功耗的理想信号检测与转换方案。
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- [公司动态]XC7A50T-1CPG236C 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)XILINX赛灵思 原装芯片IC2026年04月21日 17:41
- AMD Xilinx推出的XC7A50T-1CPG236C FPGA，正是为破解这一困局而生。作为Artix-7系列的中坚力量，它基于成熟的28nm高k金属栅极（HKMG）工艺，在238引脚的紧凑BGA封装内，集成了5.2万个逻辑单元、120个DSP48E1 Slice、2.7Mbit块RAM和4路6.6Gbps高速收发器，为成本敏感型但需中高强度并行计算与DSP能力的应用场景提供了理想的解决方案。
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- [公司动态]现货W25Q64JVSSIM串行NOR Flash存储器 Winbond存储芯片 集成电路IC2026年04月21日 15:47
- Winbond（华邦电子）推出的W25Q64JVSSIM串行NOR Flash存储器，正是为满足这一需求而设计。它凭借64Mbit存储容量、133MHz高速四线SPI接口、灵活的4KB扇区架构以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，在一个紧凑的SOIC-8封装内，广泛应用于嵌入式系统、物联网设备、消费类电子及工业控制等领域。
- 阅读（848）
- [公司动态]LTV-217-B-G：高隔离电压晶体管输出光耦——LITEON光宝，工业自动化与电源控制电气隔离解决方案2026年04月16日 17:48
- LITEON（光宝科技）推出的LTV-217-B-G晶体管输出光电耦合器，它采用SOP-4表面贴装封装，在紧凑的尺寸内实现了3750Vrms高隔离电压、130%至260%的宽电流传输比（CTR）以及-55°C至+110°C的宽温工作范围，为各类电子系统提供安全、可靠的电气隔离屏障。
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- [公司动态]全新W25Q80DVSSIG存储芯片 Winbond 串行闪存芯片IC2026年04月01日 09:49
- W25Q80DVSSIG 是Winbond（华邦电子）推出的一款8Mbit容量（1M x 8bit）的串行SPI NOR Flash闪存芯片。采用SOIC-8封装，工作电压2.7V-3.6V，支持高速读取和块擦除功能它是一款非易失性存储器，主要用于嵌入式系统中存储固件、配置参数、用户数据等关键信息。
- 阅读（846）
- [公司动态]全新MX30LF4G18AC-XKI 4Gbit SLC NAND Flash 存储器 MXIC旺宏电子 原装芯片IC2026年03月31日 15:57
- MX30LF4G18AC-XKI 是旺宏电子（Macronix）推出的一款4Gbit SLC NAND Flash 存储器，采用 2.7V-3.6V 供电和并行接口，具备 20ns 快速访问时间、工业级宽温工作范围（-40°C ~ +85°C）以及高可靠性 SLC 架构等特性，是工业控制、汽车电子、通信设备和物联网等领域的理想存储解决方案。
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