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: MGSF1N03LT1G

产品介绍：MGSF1N03L: 单 N 沟道小信号功率 MOSFET 30V，2.1A，100 mΩ。此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
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: APT32F1021

APT32F1021 APT32F102是由爱普特微电子推出的基于平头哥半导体(T-HEAD Semiconductor) CPU内核开发的32位高性能低成本单片机。APT32F102单片机面向的应用为工业控制，触控家电，消费电子设备，可穿戴设备等应用。我司是授权代理商，欢迎咨询洽谈。
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: APT32F102系列

APT32F102是由爱普特微电子推出的基于平头哥半导体(T-HEAD Semiconductor) CPU内核开发的32位高性能低成本单片机。APT32F102单片机面向的应用为工业控制，触控家电，消费电子设备，可穿戴设备等应用。我司是授权代理商，欢迎咨询洽谈。
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: FQP4N90C

产品介绍：此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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: CS82TPCF

产品介绍：凌动系列 (Bonnell) 45nm 工艺技术 Intel45纳米凌动处理器系列基于45纳米工艺技术。它具有节能的特点，每个周期最多可执行两条x86指令，也称为CISC指令，因此简化了内部操作或微操作。在执行上述指令之前，它们同样能够执行RISC风格的指令。在转换时，大部分指令仅产生一个微操作，典型程序中使用的指令约有4%产生多个微操作。
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: LTV-356T

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: FGH60T65SHD-F155

产品介绍：安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: CSD19505KCS

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON5mmx6mm塑料封装。
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[行业资讯]全新W25Q64JVSSIM 64Mb SPI NOR Flash闪存芯片，Winbond华邦工业级存储IC2026年06月05日 14:06: W25Q64JVSSIM是Winbond（华邦电子）推出的64Mbit串行NOR闪存芯片，它凭借133MHz四线SPI高速接口、64Mbit（8MB）存储容量、10μA超低待机功耗和-40°C至+85°C工业宽温范围，在一个紧凑的SOIC-8-208mil封装内，为您提供一个兼顾高性能、高可靠性与高性价比的理想代码存储方案。; 阅读（927）标签：闪存芯片

[行业资讯]全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi（安森美）开关电源芯片IC2026年06月03日 17:59: STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。; 阅读（922）标签：二极管

[行业资讯]全新STTH212U 1200V 2A 超快恢复二极管ST意法半导体电源芯片IC2026年06月03日 17:36: STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。; 阅读（926）标签：二极管

[行业资讯]全新MX30LF2G28AD-TI 2Gbit SLC 并行NAND FLASH闪存芯片旺宏电子存储芯片IC2026年06月03日 17:19: MX30LF2G28AD-TI是旺宏电子（Macronix International Co., Ltd.）推出的NAND闪存，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）单级单元架构，在业界标准的48-TSOP封装内，实现了2Gbit（256MB）的大容量存储、16ns/20ns的高速读写性能以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，凭借SLC架构的高耐用性、完备的坏块管理功能和旺宏原厂逾30年的闪存技术积累，成为对数据持久性和环境适应性有严苛要求的嵌入式系统存储升级的首选方案。; 阅读（926）标签：闪存芯片

[行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25: IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。; 阅读（920）标签：MOSFET场效应管

[行业资讯]全新8Gb DDR4 NT5AD512M16C4-JR存储芯片Nanya南亚2026年06月02日 17:43: NT5AD512M16C4-JR是Nanya（南亚科技）推出的?8Gb DDR4 SDRAM内存芯片，它采用先进的DDR4低功耗架构，在96-ball FBGA（7.5mm × 13mm）紧凑封装内，实现了8Gbit（1GB）存储容量、512M×16位组织架构、3200Mbps最高数据传输速率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，以DDR4技术代际优势为各类型嵌入式系统和高速数据处理器提供了兼具高性能、低功耗与长期稳定供货的可靠内存解决方案。; 阅读（930）标签：存储芯片

[行业资讯]全新DDR3L SDRAM 2Gb W632GU6RB-09闪存芯片Winbond华邦存储芯片IC2026年06月02日 16:47: W632GU6RB-09是Winbond（华邦）推出的2Gbit DDR3L SDRAM存储器芯片，它采用先进的DDR3L低电压架构，在96-ball VFBGA紧凑封装内，实现了4Gbit存储容量、256M x 16组织架构、1.066GHz工作频率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，为严苛环境下的嵌入式系统和高速数据处理提供了兼具高性能与低功耗的理想内存解决方案。; 阅读（919）标签：传感器

[行业资讯]全新128Mbit高速SPI NOR Flash W25Q128JVSIQ Winbond华邦存储芯片电源管理IC2026年06月01日 13:53: W25Q128JVSIQ是Winbond（华邦）推出的128Mbit高速串行NOR Flash，正是为满足这一需求而设计。作为华邦SpiFlash系列的核心成员，它在标准的SOIC-8-208mil封装内，集成了128Mbit存储容量、133MHz高速四线SPI接口、100,000次擦写寿命以及-40°C至85°C工业级宽温特性，为各类嵌入式系统提供了高效、可靠的代码存储和数据存储解决方案。; 阅读（909）标签：存储芯片

[行业资讯]全新W25N02KVZEIR 2Gbit SPI NAND Flash华邦Winbond工业级存储芯片2026年05月29日 16:22: W25N02KVZEIR是华邦（Winbond）推出的2Gbit（256MB）QspiNAND Flash存储器，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）NAND架构，在紧凑的WSON-8（8×6mm）封装内，将2Gbit大容量、104MHz四线SPI高速接口、片上8位ECC纠错以及-40°C至85°C工业级宽温工作融为一体，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案。; 阅读（902）标签：存储芯片

[行业资讯]全新10CL006YU256C8G现场可编程门阵列（FPGA）芯片 Intel 256-BGA 逻辑芯片IC2026年05月29日 15:45: 10CL006YU256C8G是Intel（原Altera）Cyclone 10 LP系列中的低成本低功耗现场可编程门阵列（FPGA）逻辑芯片IC基于成熟的60nm低功耗工艺（LP，即Low Power），在256-BGA（14mm×14mm）紧凑封装内，集成了6,272个逻辑单元（LE）、176个用户I/O、276,480位嵌入式内存以及多达65个LVDS差分对，以20mW（典型值）静态功耗、0°C至85°C商业级宽温工作以及可选的-40°C至100°C工业级型号（如YU256I7G），专为低成本、低静态功耗场景设计。; 阅读（897）标签：逻辑芯片

[行业资讯]全新W25N01GVZEIG 1Gbit SLC SPI NAND闪存芯片 Winbond华邦电子元器件 IC芯片2026年05月26日 16:02: W25N01GVZEIG是Winbond（华邦电子）推出的1Gbit SPI NAND闪存芯片，集成WSON-8（8mm×6mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储和104MHz的四线SPI高速接口，内置片上ECC纠错模块和坏块管理系统，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性、低成本和高开发效率的理想非易失性存储解决方案。主要用于小空间场景的电压调节。; 阅读（891）标签：闪存芯片

[行业资讯]全新MMBZ5232BLT1G 5.6V SOT-23 稳压二极管ON安森美电子元器件IC芯片2026年05月26日 15:32: MMBZ5232BLT1G是ON Semiconductor（安森美半导体）推出的表面贴装稳压二极管，采用SOT-23-3微型封装，提供了5.6V标称稳压值、±5%的稳压容差、225mW功率耗散以及低至11Ω的动态阻抗，是手机、手持便携设备和高密度PC板等空间受限应用中电压调节与电路保护，主要用于小空间场景的电压调节。; 阅读（880）标签：调湿片

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