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04-10
2026
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电解式除湿器费电吗？电解除湿器 与 半导体冷凝式和传统的压缩机式除湿方案，有什么不一样？
ROSAHL 电解除湿器的功耗极低，其原理决定了它是一款节能环保的产品。电解除湿器 与 半导体冷凝式和传统的压缩机式除湿方案的主要区别，从核心原理、适用空间、能耗水平、噪音与振动和核心优势等多方面区分，选择合适的除湿器即可！
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01-23
2021
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通讯物联行业解决方案
产品名称： 以太网控制器E810-XXVAM2 (intel)
产品介绍：在以数据为中心的时代，可通过扩展来满足您的网络需求。借助英特尔? 以太网系列产品 加速高优先级应用程序、分组处理和延迟敏感型工作负载。
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06-05
2026
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全新W25Q64JVSSIM 64Mb SPI NOR Flash闪存芯片，Winbond华邦工业级存储IC
W25Q64JVSSIM是Winbond（华邦电子）推出的64Mbit串行NOR闪存芯片，它凭借133MHz四线SPI高速接口、64Mbit（8MB）存储容量、10μA超低待机功耗和-40°C至+85°C工业宽温范围，在一个紧凑的SOIC-8-208mil封装内，为您提供一个兼顾高性能、高可靠性与高性价比的理想代码存储方案。
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06-04
2026
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全新APT WD02 S爱普特烧录器开发套件——在线调试和批量编程芯片烧录IC电源模块
APT WD02 S是爱普特微电子基于用户反馈与市场需求，在基础上全面迭代升级，推出的新一代多功能编程烧录器——WD02 S烧录器。该工具专为支持全国产化RISC-V MCU及CSU系列MCU的高效固件烧录、在线调试和批量化编程设计，为从实验室原型开发到工厂大批量上机烧录提供了一站式高效工具平台。
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06-03
2026
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全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi（安森美）开关电源芯片IC
STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
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06-03
2026
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全新STTH212U 1200V 2A 超快恢复二极管ST意法半导体 电源芯片IC
STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
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06-03
2026
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全新MX30LF2G28AD-TI 2Gbit SLC 并行NAND FLASH闪存芯片 旺宏电子 存储芯片IC
MX30LF2G28AD-TI是旺宏电子（Macronix International Co., Ltd.）推出的NAND闪存，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）单级单元架构，在业界标准的48-TSOP封装内，实现了2Gbit（256MB）的大容量存储、16ns/20ns的高速读写性能以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，凭借SLC架构的高耐用性、完备的坏块管理功能和旺宏原厂逾30年的闪存技术积累，成为对数据持久性和环境适应性有严苛要求的嵌入式系统存储升级的首选方案。
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06-03
2026
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全新74HC2G04GW,125双路高速CMOS反相器NXP安世逻辑控制器芯片IC
74HC2G04GW,125是Nexperia（安世半导体）推出的双路高速CMOS反相器，它基于先进的硅栅CMOS技术，在紧凑的SOT-363-6（TSSOP-6，尺寸仅2mm×1.25mm）微型封装内，集成了2个独立反相器，具备2.0V至6.0V的宽电源电压范围、仅1μA的超低静态电流、5.2mA的对称输出驱动能力，以及符合JEDEC标准no.7A的高抗噪性，并提供高达2kV HBM的ESD保护，为消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域的通用逻辑信号处理提供了高集成度、高可靠性与高性价比的理想解决方案。
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06-03
2026
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全新ZXTC2045E6TA 30V 1.5A 中功率双极结晶体管(BJT)DIODES美台电机驱动芯片IC
ZXTC2045E6TA是DIODES（美台）推出的互补中功率双晶体管，它在SOT-26（SOT-23-6）微型封装内，集成了1个NPN和1个PNP中功率晶体管，以30V集电极-发射极电压、1.5A连续集电极电流、5A峰值脉冲电流以及265MHz/195MHz的高特征频率，配合AEC-Q101车规级认证和PPAP能力，为汽车电子、车窗控制、座椅调节、LED大灯驱动等门极驱动、电机驱动以及各种推挽/半桥拓扑应用提供了兼具高集成度、高性能与高可靠性的理想有源功率开关解决方案。
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06-03
2026
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全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC
IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。
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