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09-23 2026
MPS芯源MP1653GTF-Z 17V/3A 微型同步降压 DC-DC电源芯片,高密度板卡电源优选方案 MP1653GTF-Z 属于 MPS MP1653 系列内置 MOS 同步 Buck 芯片,采用电流模控制架构,内部集成高低侧功率管,无需外置功率 MOS,外围器件数量少,简化电源外围电路。芯片支持宽电压输入,可直接适配 12V 工业母线、适配器电源、锂电池组供电;支持 0.6V 起的可调输出电压,能够给 MCU、NOR Flash、传感器、网口芯片提供稳定供电。轻载自动进入节能模式,兼顾满载转换效率与轻载低静态功耗;内置软启动、打嗝式过流保护、过温关断,保障系统在异常工况下不损坏,适合长期不间断运行的设备。 查看详情
09-23 2026
micron美光PC-28F128J3F75A NOR Flash 128Mb闪存芯片,工业嵌入式固件存储方案 PC-28F128J3F75A 是micron美光 J3 系列并行 NOR Flash,128Mbit(16MB)存储容量,采用 64-EasyBGA(10×13mm)封装,是专为工业级嵌入式固件存储打造的非易失性存储芯片。依托成熟 65nm SLC NOR 工艺,支持 XIP 原地执行程序,75ns 初始随机读取速度,宽温工作、硬件块锁保护、密码安全机制,兼顾高速读取、高擦写寿命、ji端环境稳定性,解决工业设备固件存储的启动慢、程序易篡改、高低温环境数据丢失、擦写寿命不足等痛点。在大量对可靠性、启动确定性、代码安全有硬性要求的设备上,PC-28F128J3F75A 凭借并行总线架构、丰富硬件保护机制,成为长期稳定的固件存储优选方案。 查看详情
09-23 2026
透气阀只透气不除湿?电解式控湿器——从根源消除设备内腔结露难题 电解式控湿器核心为高分子固体电解质膜组件,膜两侧设置电极。通电后,箱内空气中的水分子接触电解膜,在阳极被电解为氢离子与氧气;氢离子穿过高分子电解质膜迁移至阴极,与氧气重新结合生成水分子,直接排放到箱体外部大气。整个过程,箱内的水分被持续迁移至箱外,箱内水汽不断减少,从而稳定维持箱体内部低湿环境。 整套装置无转动部件、无压缩机、无冷凝水排水口,工作时不会产生滴水风险,不需要维护更换耗材,适合长期密封的户外设备腔体。设备仅需低压直流供电,功耗极低,可 24 小时不间断运行,适配各类工业箱体狭小安装空间。 查看详情
09-22 2026
SLM343CK-DG Sillumin数明隔离栅极驱动器,IGBT、MOSFET驱动芯片,赋能工业与新能源 上海数明半导体(Sillumin)国内高性能隔离模拟芯片,推出SLM343CK-DG,隶属于 SLM34x 系列单通道兼容光耦隔离栅极驱动器,采用自主电容隔离技术,引脚、封装wan全兼容传统光耦驱动方案。芯片拥有 4A 峰值源电流、6A 峰值灌电流大驱动能力,5kVrms 增强隔离耐压,150kV/μs 超高共模瞬态抗扰度,-40℃~+125℃宽温工作区间,兼顾高驱动能力、强抗干扰、长寿命、国产稳定供货多重优势,成为工业电源、新能源逆变、电机变频领域国产替代方案。 查看详情
09-22 2026
Intel英特尔WGI210AT,SLJXR千兆以太网控制器IC,集成MAC+PHY工业嵌入式设备适用芯片 WGI210AT,SLJXR(I210-AT)是 Intel 面向嵌入式设备推出的单口千兆以太网控制器IC,集成 MAC+PHY 一体化架构,搭载硬件时间戳、硬件协议卸载、AVB 音视频桥接、EEE 节能以太网等专业功能,成为工控主板、机器视觉采集卡、医疗仪器、网络网关、智能交通终端的主流选型。不同于消费级网卡芯片,I210 系列从底层硬件设计就面向嵌入式 7×24 小时不间断运行场景,兼顾带宽性能、时间同步、抗干扰能力与拓展灵活性,是对网络确定性、数据可靠性有严苛要求设备的优选网络通信芯片。 查看详情
09-22 2026
Intel英特尔PRIXP425ABD工业千兆网络通信处理器IC,硬件加密加速+多协议接口集成,低功耗芯片 Intel PRIXP425ABD是Intel IXP425系列主力型号,采用492-PBGA标准化封装,35×35mm贴片工艺,适配自动化SMT量产,是一款集成CPU主控、网络处理引擎、以太网MAC、硬件加密模块、多路拓展接口的一体化网络处理器,区别于单纯的以太网收发芯片,可独立作为网络设备主控使用,无需额外搭配MCU/CPU,大幅精简设备架构。产品专为固定带宽、长期在线、多协议适配的专网通信场景优化,历经海量工业、安防 查看详情
09-21 2026
Littelfuse IXFH60N65X2场效应管MOSFET 650V 高压功率二极管模块,充电桩、高压电机驱动IC IXFH60N65X2 是 Littelfuse X2-Class 系列 N 沟道增强型超结功率 MOSFET,采用电荷补偿超结工艺,TO-247AD 通孔封装,专为 650V 级高压开关电源、PFC、DC/AC 逆变、高压 DC-DC 设计。器件集成软恢复本征体二极管,支持非钳位感性开关(UIS 雪崩耐受),封装采用低寄生电感设计,适配工业设备quan球出口认证需求。 查看详情
09-21 2026
Littelfuse/IXYS IXFH320N10T2 N 沟道增强型沟槽栅功率 MOSFET,中低压大电流器件IC IXFH320N10T2 是 Littelfuse(原 IXYS)Gen2 系列 N 沟道增强型沟槽栅功率 MOSFET,采用 HiPerFET zhuan利工艺,TO-247AD 直插封装,专为高频大功率开关、同步整流、直流斩波等场景开发的中低压大电流器件。其内置优化的本征体二极管,具备可靠的雪崩耐受能力,支持硬开关与谐振开关两种工作模式,同时满足 RoHS 环保标准,封装环氧树脂达到 UL94V-0 阻燃等级,可广泛适用于工业、储能、车载非安全域等严苛工况。 查看详情
09-21 2026
Littelfuse CLA80E1200HF高效晶闸管(SCR,可控硅)专为 50/60Hz 工频应用优化 CLA80E1200HF 是 Littelfuse(原 IXYS)CLA80 系列单向晶闸管(单晶闸管 SCR),属于高效率线频晶闸管,封装为行业通用 PLUS247(TO-247-3)直插封装,引脚定义标准化,PCB 布局、散热器装配兼容传统 TO247 功率器件方案,降低硬件改板成本。器件采用平面钝化晶圆工艺,芯片内部结构优化,抑制漏电流,提升长期工作稳定性,符合 RoHS 无铅环保要求。 查看详情
09-20 2026
APT32F1023H8S6爱普特APTCHIP 32位MCU国产|触控与电机控制一体化通用单片机 爱普特 APTCHIP 推出APT32F1023H8S6,基于平头哥 C-Sky 32 位内核,SSOP24 封装,64K Flash+4K SRAM,集成硬件触控、12 位 ADC、带死区互补 PWM、硬件除法器、硬件 CRC 等全套外设,是一款兼顾国产自主可控、高性能、低功耗、丰富模拟外设、ji致性价比的 32 位通用 MCU。打破了 “32 位芯片、8 位芯片算力弱” 的行业瓶颈,在消费家电、智能门锁、小型电机控制、工业采集模块、可穿戴设备等场景,实现低成本替代,为硬件厂商解决供应链安全、BOM 降本、产品功能升级三大核心难题。 查看详情
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