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: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7是DIODES（美台）推出的小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。
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: US1M_HF

产品介绍：US1M_HF是DIODES（美台）推出的 1A/1000V超快恢复整流二极管，它采用成熟的玻璃钝化芯片（Glass Passivated Chip）工艺，在紧凑的SMA（DO-214AC）表面贴装封装内，实现了1000V高反向耐压、1A连续正向电流、75ns超快反向恢复时间以及高达30A的正向浪涌承受能力，并以低至1.65V的典型正向压降有效降低导通损耗，为高频开关电源、AC-DC适配器、LED照明驱动和各类高压小功率电源系统提供了兼具高性能、高可靠性与紧凑尺寸的理想整流解决方案。
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: ES2D_HF

产品介绍：ES2D_HF是DIODES（美台）推出的超快恢复整流二极管，它采用成熟的玻璃钝化芯片工艺，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，集成了200V高反向耐压、2A连续正向电流、25ns超快反向恢复时间以及高达50A的正向浪涌承受能力，并以低至920mV的典型正向压降显著降低导通损耗，为高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和各类电机驱动电路提供了兼具高性能、高可靠性与紧凑尺寸的理想整流解决方案。
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: AZ1117CH-3.3TRG1

产品介绍：AZ5425-04F.R7G是一款由 AMAZING（晶焱科技）生产的一款四通道、5V、超低0.4pF电容 ESD 保护阵列芯片，专为HDMI、USB 3.0等高速数据接口而设计提供静电放电（ESD）防护，适用于对信号完整性要求严苛的高速数据传输场景。
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: US1NWF-7

产品介绍：US1NWF-7是DIODES（美台）推出的表面贴装超快恢复整流二极管，采用 SOD-123F 小型表面贴装封装，具有低正向导通压降（1.7V @ 500mA）、快速恢复时间（80ns）和低反向漏电流（5μA @ 1200V），实现了1200V高耐压、1A正向电流、30A高浪涌承受能力以及典型80ns反向恢复时间，为高压高频AC-DC转换、LED照明和工业电源等领域提供了兼具高性能与高可靠性的理想整流解决方案，适合工业与车载应用环境。
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: PI6C49S1510ZDIEX

PI6C49S1510ZDIEX 是 DIODES（美台）推出的一款高性能差分扇出时钟缓冲器，该芯片支持 LVDS、LVPECL、HCSL 和 LVCMOS 等多种可配置输出信号标准，工作温度范围为 -40°C ~ +85°C，符合工业级应用标准，采用 ?48-TQFN（7mm × 7mm）小型封装，最高支持1.5GHz输出频率，并具备可配置输出信号标准和3:1 输入多路复用功能，适用于通信基站、数据中心、高速存储等对时钟信号完整性要求极高的场景。
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: AP4313KTR-G1

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: AP7370-50SA-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: DMMT3906WQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5236B-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5254BQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: S1J-13-F

产品介绍：DIODES(美台)的S1J-13-F是一款采用SMA(DO-214AC)封装的表面贴装标准恢复整流二极管,具有 600V 反向重复峰值电压（VRRM）和 1A 平均整流电流（IO）,正向压降仅为 1.1V@1A,其采用 SMA（DO-214AC）封装,广泛应用于电源整流、开关电源、逆变器及各类工业控制电路中,适合在FPGA系统设计中对高可靠性分立器件的需求。
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: B340A-13-F

产品介绍：B340A-13-F 是DIODES(美台)的一款额定电压40V、额定电流3A的表面贴装肖特基二极管，采用紧凑的SMA封装，500mV 的超低正向压降、80A 的强大浪涌承受能力?和?AEC-Q101 车规级可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和反向保护电路中。
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: PI6CB332000ZDIEX

产品介绍：PI6CB332000ZDIEX是Diodes Incorporated推出的一款时钟缓冲器，采用72-TQFN(10x10)封装，支持HCSL差分输入输出，工作电压3.135V~3.465V，温度范围-40°C~85°C。该器件主要用于PCI Express 4.0等高速接口的时钟分配。专为满足现代高速数据通信系统的精确时序需求而设计。
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: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP10H400SK3-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: AZ431AR-ATRE1

产品介绍：AZ431AN-ATRE1是美台 Diodes公司生产的一款三端可调精密并联电压基准稳压芯片,属于AZ431-A系列,采用SOT-23-3封装。其输出电压可通过外部电阻在2.5V至36V范围内精确编程设置,初始精度高达±0.4%,温度系数仅为20ppm/℃,动态输出阻抗低至0.2Ω,阴极电流能力覆盖1mA至100mA,在电路中的核心作用是提供一个高精度、高稳定性的电压基准,属于电源管理芯片中的电压基准芯片类别
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: 1N5819HW-7-F

产品介绍：1N5819HW-7-F是一款由?Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的?表面贴装（SMD）肖特基势垒整流二极管。
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: AS7805ADTR-G1

产品介绍：SMAJ70A-13-F 是 Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款单向瞬态电压抑制二极管（TVS）。瞬态电压抑制快速响应并钳制瞬态过电压；浪涌保护吸收高能量浪涌脉冲；ESD保护防止静电放电损害。
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