- [公司动态]SMBJ150A Littelfuse 力特 单向TVS瞬态抑制二极管，150V 截止电压、600W 峰值脉冲功率2026年10月13日 14:00
- SMBJ150A 是 Littelfuse 力特 SMBJ 系列高压档单向 TVS 瞬态抑制二极管，核心亮点为150V 截止电压、600W 峰值脉冲功率、<1ns 超快响应、5μA 低漏电流、SMB 通用封装、宽温高可靠，高压直流母线、工业信号线、通信线路等场景，解决瞬态过压损坏后端芯片。广泛应用于电源系统、工业控制、通信设备、新能源、消费电子等领域，是高压线路瞬态浪涌防护 TVS二极管。
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- [公司动态]EP4CE6E22C8N Altera FPGA可编程逻辑芯片,工业控制与 PLC 扩展IC模组2026年10月13日 09:34
- EP4CE6E22C8N 是 Altera Cyclone IV E 系列入门级低成本 FPGA，核心亮点为6272 逻辑单元、270Kbit RAM、15 个乘法器、2 个 PLL、Nios II 软核支持、EQFP-144 通用封装，广泛应用于工业控制、数据采集、接口桥接、消费电子、教学原型等场景，是中小规模可编程逻辑FPGA 芯片。
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- [公司动态]TM52F1376海速芯HITENX Flash-8位MCU单片机，多通道ADC + 段码显示一体化主控芯片2026年10月12日 14:08
- TM52F1376 是海速芯 TM52 系列高性能 8 位 8051 内核 MCU，核心亮点为16K 大容量 Flash、24 通道 12 位 ADC、内置段码 LCD/LED 驱动、双 UART、6 倍速增强 8051 内核。 对比同系列 TM52F1363，拥有更大 Flash 与更多 ADC 通道，支持段码屏驱动，适合功能更复杂的带屏设备；广泛应用于智能小家电、工业采集仪表、电动车仪表、手持检测设备、健康护理产品，是多通道模拟采集 + 段码屏显示一体化控制的国产 8 位 MCU。
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- [公司动态]TM52F1363 海速芯（HITENX）高速 8051 内核 8 位单片机MCU微控制器IC芯片2026年10月12日 13:52
- HITENX 海速芯（原十速 Tenx） 型号：TM52F1363 内核：增强高速 8051 内核，指令集兼容传统 8051，执行速度约为普通 8051 的 6 倍 存储资源，超高集成度，一站式配齐采集与控制外设，精简 BOM 片上集成 19 通道 12 位 ADC、7 路 16 位 PWM、I2C、UART、多组定时器、看门狗、低压检测与复位。很多采集、调光、电机控制项目，无需外挂 ADC、PWM 芯片，减少外围器件。
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- [公司动态]DIODES美台SMAJ100CA 100V双向瞬态抑制TVS二极管,高压电路EMC防护,工业信号接口芯片IC2026年10月12日 11:36
- 工业设备、车载电子、通信电源、新能源控制模块的高压瞬态浪涌与静电冲击，是设备死机、接口烧毁、整机返修的核心诱因。高压电路防护选型中，普通低压TVS耐压不足、高压稳压管响应慢、压敏电阻老化失效快，很难兼顾高压耐受、快速响应等需求。SMAJ100CA是DIODES美台推出的经典100V双向TVS瞬态抑制二极管，采用SMA通用封装、大功率雪崩防护架构，专为高压直流线路、工业信号接口、车载供电系统量身打造，是高压电路EMC防护、雷击浪涌抑制芯片。
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- [公司动态]SD15C.TCT SEMTECH升特 单线TVS瞬态抑制二极管，硅雪崩无衰减防护，低钳位电压芯片SOD-3232026年10月12日 11:11
- SiLM27212EK-DG 是数明 SiLM27212 系列的主力型号，专为高压半桥拓扑设计，内置自举二极管省去外部自举二极管，是国产高压高低边驱动IC，兼容海外 UCC27212 等经典半桥驱动芯片。驱动源极电流 IOH=3A，灌电流 IOL=4.5A，输入引脚独立于电源电压，具备负压耐受能力，抗开关节点负电压冲击
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- [公司动态]SD15C.TCT SEMTECH升特TVS瞬态抑制二极管，硅雪崩无衰减防护，低钳位电压芯片SOD-3232026年10月12日 11:11
- SD15C.TCT 是 Semtech SDxxC 系列中的 15V 单线 TVS，专为便携式电子、工控板卡的 I/O 口与低压电源轨设计，核心定位是替代多层压敏电阻 MLV，解决静电、电快速脉冲、小型雷击浪涌带来的芯片损坏、系统死机复位等 EMC 问题。SOD-323 微型封装，适配高密度 PCB SOD-323 小封装，焊盘兼容 0805 贴片占位，适合便携设备、小型模块、高密度板卡，在 PCB 空间紧张的设计中，
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- [公司动态]SiLM27212EK-DG数明 Sillumin半桥栅极驱动芯片MOSFET，集成二极管，工业电源模块2026年10月12日 10:44
- SiLM27212EK-DG 是数明 SiLM27212 系列的主力型号，专为高压半桥拓扑设计，内置自举二极管省去外部自举二极管，是国产高压高低边驱动IC，兼容海外 UCC27212 等经典半桥驱动芯片。驱动源极电流 IOH=3A，灌电流 IOL=4.5A，输入引脚独立于电源电压，具备负压耐受能力，抗开关节点负电压冲击
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- [公司动态]DIODES美台DGD05473FNQ-7车规半桥N 沟道MOSFET栅极驱动芯片，内置二极管2026年10月08日 16:17
- 在车载 BLDC 电机、高频 DC-DC、无线充电、D 类功放的电源设计中，半桥驱动方案面临难题：普通商用栅极驱动缺少 AEC-Q100 车规认证，无法进入汽车供应链；分立自举电路外围器件多，PCB 占用面积大，死区匹配差，容易出现上下管直通烧毁 MOS 管。DIODES 美台 DGD05473FNQ-7，是AEC-Q100 认证高频半桥高低侧栅极驱动器，U-DFN3030-10 微型封装，内置自举二极管，精准延迟匹配，专为半桥 N 沟道 MOSFET 驱动打造，兼顾车规可靠性与高频小型化设计，是电机、电源硬件的功率驱动方案。
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- [公司动态]W25Q16JVSSIQ Winbond 华邦 16Mbit 工业级 串行SPI NOR Flash 存储芯片IC2026年09月29日 17:50
- 嵌入式系统里，固件启动、参数存储、日志记录的可靠性，很大程度由串行 Flash 决定。很多项目选型时，容易只看容量，忽略启动速度、扇区灵活性、宽温稳定性与代码直读 XIP 能力。W25Q16JVSSIQ 是华邦 W25Q-JV 系列16Mbit（2MB）工业级多 I/O 串行 NOR Flash，SOIC-8 208mil 经典封装，支持标准 SPI、Dual SPI、Quad SPI/QPI，zui高 133MHz 时钟，兼具高速读取、4KB 小扇区灵活擦写、工业宽温、低功耗特性，是物联网、工控主板、通信模块、智能硬件固件存储的主流优选存储方案。
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- [公司动态]SX8652IWLTRT SEMTECH 升特｜SPI 接口4线电阻触摸屏控制器，高精度ADC+集成ESD防护2026年09月28日 17:47
- 在便携设备、工业手持终端、POS 收银机、相机等人机交互方案中，电阻屏方案长期面临痛点：主控算力占用高、ESD 静电击穿、功耗高、通信接口选择受限。SX8652IWLTRT 是 Semtech 升特 SX865x 系列SPI 接口 4 线电阻触摸屏控制器，集成 12 位高精度 ADC，片内集成 ±15kV HBM ESD 防护，超低功耗，专门为电阻式触摸屏设计，自带触摸预处理算法，减轻 MCU 运算负担，是手持设备、工业 HMI、便携式仪器的电阻触控芯片。
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- [公司动态]AD9781BCPZ（ADI 亚德诺）｜双通道 14 位 500MSPS 高动态范围 I/Q 数模转换器2026年09月28日 16:26
- 射频信号生成、任意波形发生器、软件无线电设计中，I/Q 两路信号的线性度、相位匹配、噪声基底，直接决定信号质量。很多分立单通道 DAC 方案面临通道不一致、调试复杂、奈奎斯特带宽限制、谐波失真高的痛点。AD9781BCPZ是 ADI 经典 TxDAC 系列双通道 I/Q DAC，14 位分辨率、zui高 500MSPS 采样率，集成 LVDS 高速数据接口、增益 / 失调实时校正，搭配专有开关输出架构，支持奈奎斯特外信号合成，专为直接变频射频发射链路设计，是无线通信、矢量信号源、雷达信号回放的优选 I/Q 波形生成芯片。
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- [公司动态]JL82571EB,SLJB4 Intel 英特尔｜双口千兆 PCIe 以太网控制器IC，集成双 MAC+PHY2026年09月28日 15:12
- 在工控设备、服务器、网络安全网关、存储 NAS 产品设计中，多网口方案常面临两大难题：多芯片分立网口 BOM 繁杂、CPU 网络负载过高。JL82571EB（SLJB4）是 Intel 经典 Ophir 系列单芯片双端口千兆以太网控制器，集成双 MAC+PHY，搭载硬件卸载引擎，PCIe1.0a 总线，凭借数十年市场验证的稳定性、全平台驱动生态，成为工业设备、老旧服务器、网络安全硬件项目优选的双网口核心芯片，尤其适合需要长期稳定运行、软件生态成熟的嵌入式与服务器硬件方案。
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- [公司动态]MAXIM美信MAX3097EEEE+T｜3 通道带故障诊断高速 RS485/RS422 接收器芯片2026年09月28日 14:51
- MAX3097EEEE+T 作为美信经典三通道 RS-485/RS-422 差分接收器，单芯片集成三路独立接收通道，内置du家故障检测机制，32Mbps 高速传输，拓展共模电压范围，搭配 ±15kV 高等级 ESD 防护，专为电机编码器多路差分信号采集而生，是运动控制高可靠通信的优选接口方案。
- 阅读（1017）
- [公司动态]WeEn 瑞能 BT158W-1200TQ｜1200V 大功率单向可控硅（SCR）晶闸管1200V 80A 封装TO-2472026年09月28日 13:47
- 在工业电源、高压软启动、大功率励磁、UPS 不间断电源等场景中，器件的浪涌耐受、高温稳定性、长期热循环可靠性，直接决定整套设备的故障率。瑞能半导体 BT158W-1200TQ 是 BT158W 系列 TO-247 封装单向晶闸管（SCR），采用平面钝化芯片工艺，1200V 高压等级，80A 平均通态电流，具备ji强的短时浪涌承载能力，是高压大功率交流控制、整流、软启场景。
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- [公司动态]Winbond华邦 W25Q80RVXHJQ｜新一代 8Mbit SPI NOR Flash存储芯片IC存储解决方案2026年09月28日 11:47
- 型号：W25Q80RVXHJQ（Winbond 华邦） 存储容量：8Mbit（1MB）SLC NOR Flash 封装：XSON8（XH，2mm×3mm，0.4mm 薄型封装，8 焊盘） 接口：标准 SPI、Dual-SPI、Quad-SPI、QPI 四通道，支持 XIP 片上直接执行代码 时钟频率：单通道zui高 133MHz；QPI 高速模式，DTR 速率可达 84MB/s 供电电压：2.7V~3.6V 工作温度：-40℃ ~ +105℃（工业宽温级） 存储架构：统一 4KB 扇区，支持 4KB/32KB/64KB 块擦除。
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- [公司动态]Winbond华邦W25Q80DVSSIG 8Mbit高可靠SPI NOR FLASH闪存芯片，高速读写+低功耗嵌入式存储应用2026年09月24日 14:56
- W25Q80DVSSIG是华邦SpiFlash系列主流8Mbit（1MB）串行闪存，专为引脚紧凑、供电有限、空间受限的嵌入式系统设计，参数均衡且实用性拉满，无冗余性能、无功能短板，贴合量产刚需。 存储容量8Mbit（1M×8），采用成熟NOR Flash架构；供电电压2.7V-3.6V，适配主流嵌入式供电体系；支持标准SPI、双路SPI、四路SPI三重接口，最高时钟频率104MHz，连续数据传输速率可达50MB/s；存储分区灵活，支持4KB统一扇区、32KB/64KB块擦除，适配不同大小数据读写场景。
- 阅读（1011）
- [公司动态]MPS芯源MP1653GTF-Z 17V/3A 微型同步降压 DC-DC电源芯片，高密度板卡电源优选方案2026年09月23日 15:39
- MP1653GTF-Z 属于 MPS MP1653 系列内置 MOS 同步 Buck 芯片，采用电流模控制架构，内部集成高低侧功率管，无需外置功率 MOS，外围器件数量少，简化电源外围电路。芯片支持宽电压输入，可直接适配 12V 工业母线、适配器电源、锂电池组供电；支持 0.6V 起的可调输出电压，能够给 MCU、NOR Flash、传感器、网口芯片提供稳定供电。轻载自动进入节能模式，兼顾满载转换效率与轻载低静态功耗；内置软启动、打嗝式过流保护、过温关断，保障系统在异常工况下不损坏，适合长期不间断运行的设备。
- 阅读（1028）
- [公司动态]micron美光PC-28F128J3F75A NOR Flash 128Mb闪存芯片，工业嵌入式固件存储方案2026年09月23日 14:44
- PC-28F128J3F75A 是micron美光 J3 系列并行 NOR Flash，128Mbit（16MB）存储容量，采用 64-EasyBGA（10×13mm）封装，是专为工业级嵌入式固件存储打造的非易失性存储芯片。依托成熟 65nm SLC NOR 工艺，支持 XIP 原地执行程序，75ns 初始随机读取速度，宽温工作、硬件块锁保护、密码安全机制，兼顾高速读取、高擦写寿命、ji端环境稳定性，解决工业设备固件存储的启动慢、程序易篡改、高低温环境数据丢失、擦写寿命不足等痛点。在大量对可靠性、启动确定性、代码安全有硬性要求的设备上，PC-28F128J3F75A 凭借并行总线架构、丰富硬件保护机制，成为长期稳定的固件存储优选方案。
- 阅读（1011）
- [公司动态]SLM343CK-DG Sillumin数明隔离栅极驱动器，IGBT、MOSFET驱动芯片，赋能工业与新能源2026年09月22日 14:35
- 上海数明半导体（Sillumin）国内高性能隔离模拟芯片，推出SLM343CK-DG，隶属于 SLM34x 系列单通道兼容光耦隔离栅极驱动器，采用自主电容隔离技术，引脚、封装wan全兼容传统光耦驱动方案。芯片拥有 4A 峰值源电流、6A 峰值灌电流大驱动能力，5kVrms 增强隔离耐压，150kV/μs 超高共模瞬态抗扰度，-40℃~+125℃宽温工作区间，兼顾高驱动能力、强抗干扰、长寿命、国产稳定供货多重优势，成为工业电源、新能源逆变、电机变频领域国产替代方案。
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