- [公司动态]LTV-217-B-G：高隔离电压晶体管输出光耦——LITEON光宝，工业自动化与电源控制电气隔离解决方案2026年04月16日 17:48
- LITEON（光宝科技）推出的LTV-217-B-G晶体管输出光电耦合器，它采用SOP-4表面贴装封装，在紧凑的尺寸内实现了3750Vrms高隔离电压、130%至260%的宽电流传输比（CTR）以及-55°C至+110°C的宽温工作范围，为各类电子系统提供安全、可靠的电气隔离屏障。
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- [公司动态]全新W25Q80DVSSIG存储芯片 Winbond 串行闪存芯片IC2026年04月01日 09:49
- W25Q80DVSSIG 是Winbond（华邦电子）推出的一款8Mbit容量（1M x 8bit）的串行SPI NOR Flash闪存芯片。采用SOIC-8封装，工作电压2.7V-3.6V，支持高速读取和块擦除功能它是一款非易失性存储器，主要用于嵌入式系统中存储固件、配置参数、用户数据等关键信息。
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- [公司动态]现货ADP3339AKCZ-3.3-R7 线性稳压器ADI亚德诺 电源芯片IC原装2026年03月31日 16:35
- ADP3339AKCZ-3.3-R7 是 ADI（Analog Devices Inc.）推出的一款高精度、超低压差、1.5A 输出能力的固定输出 LDO 线性稳压器，采用紧凑的 SOT-223 封装，输出电压固定为 3.3V。它凭借 ±0.9% 的高精度、230mV 的超低压差（@1.5A）以及创新的 anyCAP? 技术——对输出电容 ESR 不敏感，可使用任意电容（包括 MLCC）实现稳定——成为笔记本、电池供电系统、工业控制等领域的理想电源解决方案。
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- [公司动态]全新MP9943GQ-Z_同步降压 DC-DC 转换器 MPS芯源_电子元器件IC 芯片2026年03月27日 11:12
- MP9943GQ-Z 是 Monolithic Power Systems芯源（MPS）推出的一款36V/3A 同步降压 DC-DC 转换器，采用紧凑的 QFN-8 (3x3mm) 封装。它集成了 85mΩ/55mΩ 低导通电阻功率 MOSFET，支持高达 36V 的宽输入电压范围和 3A 连续输出电流，广泛应用于工业自动化、汽车电子、通信设备和消费电子等领域高效电源转换。
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- [公司动态]SN74LVC1G08DBVR 德州仪器（TI）逻辑芯片IC 电源芯片 ESD保护2025年08月01日 14:02
- SN74LVC1G08DBVR 是德州仪器（TI）推出的单路2输入AND门芯片，采用纳米级CMOS工艺，专为便携设备、IoT模块、工业控制等空间受限场景设计。以SOT-23-5超小封装和1.65V~5.5V宽电压特性，成为数字逻辑电路IC ！
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- [常见问题]ISL95870BIRZ-T 瑞萨电子 多相PWM控制器【CPU/GPU供电/AI服务器/超算中心】2025年07月17日 17:46
- ISL95870BIRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的6+2相数字PWM控制器，采用QFN-48封装，专为下一代CPU/GPU供电、AI服务器、超算中心等极限应用而生！这款芯片凭借业界首个自适应多相控制技术和98%的峰值效率，正在掀起一场电源管理革命！
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- [公司动态]ISL8121IRZ-T 瑞萨电子Renesas高效双路同步降压控制器 【5G基站、AI服务器】专用2025年07月17日 17:08
- ISL8121IRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的双路同步降压控制器，采用QFN-24封装，专为5G基站、AI服务器、高端GPU供电等严苛应用打造。这款芯片凭借业界领先的转换效率（高达97%）和智能数字控制技术，正在重新定义大电流电源解决方案的标准！
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- [行业资讯]HIP4082IBZT 全桥MOSFET驱动器 【高效能动力控制核心】2025年07月17日 16:11
- HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的一款全桥N沟道MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为H桥电机驱动、DC-AC逆变器等应用设计。该芯片具备高驱动能力、低传播延迟和智能死区控制，可显著提升功率转换效率，适用于工业自动化、新能源及消费电子等领域。
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- [公司动态]ACS758LCB-050B Allegro隔离电流传感器2.4kV+120kHz高精度能源监控专家！2025年07月08日 15:26
- ACS758LCB-050B-PFF-T是Allegro MicroSystems推出的基于霍尔效应的隔离式电流传感器，采用CB-5封装，可精准测量±50A直流/交流电流，具有低噪声、高线性度特性，适用于工业控制、新能源及汽车电子等高可靠性场景。
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- [公司动态]A1126LLHLX-T Allegro霍尔效应锁存器，5kHz+推挽输出，汽车级转速检测专家！2025年07月07日 15:03
- A1126LLHLX-T是Allegro MicroSystems推出的全极性霍尔效应锁存器，采用超薄SOT-23W封装（1mm厚度），专为高可靠性位置检测与转速测量设计，具有低功耗、高抗干扰特性，适用于汽车、工业和消费电子领域。
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- [公司动态]A1102LLHLX-T Allegro全极性级霍尔开关，3μA+全极触发，位置检测新标杆！2025年07月07日 11:44
- A1102LLHLX-T是Allegro MicroSystems推出的全极性霍尔效应开关，采用超薄SOT-23W封装（厚度仅1mm），专为位置检测和接近传感设计，具有低功耗、高灵敏度特性，适用于消费电子、工业设备和汽车电子等场景。
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- [公司动态]IXFH320N10T2 IXYS 超快二极管MOS 工业级超高电流开关应用2025年07月04日 17:43
- IXFH320N10T2是IXYS（现属Littelfuse）推出的100V/320A N沟道功率MOSFET，采用TO-247 Plus封装，专为超高电流开关应用设计，适用于电动车辆、工业电源和大功率逆变器等场景。
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- [公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26
- WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体） 推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为 高效率电源转换和电机驱动 设计，适用于 工业、新能源、电动汽车 等高功率应用场景。
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- [常见问题]芯片是方形的，晶圆为什么是圆形的？2025年04月14日 17:44
- 晶圆的圆形设计源于制造工艺的限制和生产效率的优化，而芯片的方形设计则是因为切割、封装和晶圆利用率的考虑。尽管圆形晶圆在边缘区域存在一定的浪费，但从整体工艺和良品率的角度来看，这种形状组合是当前芯片制造的最佳选择。
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- [公司动态]速来围观，新品单片无线发射电路2022年11月18日 16:54
- PL1165S8为单片无线发射电路，采用ESOP8封装，可与MCU配套完成单向发射功能，该单芯片无线收发器集成包括：频率综合器、功率放大器、晶体振荡器、GFSK 调制器等模块。输出功率、信道选择与协议等可以通过 SPI 或 I2C 接口进行灵活配置。内置地址及 FEC、CRC 校验功能。芯片发射功率最大可以达到 5.5dBm。
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- [行业资讯]高频整流二极管和普通整流二极管有什么不同2022年09月14日 10:00
- 整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有最大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。
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- [常见问题]光耦常见的几种连接方式2022年07月25日 17:44
- 光耦合器(optICalcoupler，英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电——光——电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。
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- [常见问题]ESD二极管和普通二极管有什么区别？2022年07月07日 17:58
- TVS二极管和ESD静电保护二极管，这两者工作原理是一样，只是在功率、参数、封装形式、应用场合等方面会有差异，具体表现在这几方面： ESD静电二极管，主要功能是防静电，防静电防护就要求电容值要低，一般在1--3.5PF之间是好的;然而，TVS二极管的电容值却比较高，不适合应用在信号接口的电路保护中; ESD保护二极管，主要应用于板级保护;TVS二极管用于初级和次级保护; 选用ESD静电二极管时，更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000
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- [行业资讯]IGBT打通汽车能量流 缺货加速国产替代2022年06月17日 22:01
- IGBT 是汽车电能转换的关键连接器。IGBT 器件在新能源汽车主逆变器、车载充电器(OBC)、升压换流器及辅助系统中被广泛应用。其中，主逆变器IGBT以模块形式为主，纯电动车需要1-2 个，混动汽车需要2-3 个，单价从650元到2000 元不等；同时，成本较低的IGBT 单管方案正在逐步渗透：以120KW电机为例，单管方案比模块方案成本降低约40%。此外，由于汽车零部件时常暴露高温、高湿、高压环境中下，要求车规级半导体可承受温度区间达-40-150(工业级：-40-105)且产品寿命需达15 年及以上，因此车用IGBT 技术难度大且封装要求高。
- 阅读（83）
- [常见问题]IC封装需要考虑的关键因素有哪些？2021年03月24日 16:05
- 为了提供更多的功能，芯片变得越来越大，但是相反，封装却被要求以更小的尺寸来容纳这些更大尺寸的裸片。这就不可避免地要求，新的候选封装技术既能提高系统效率又能降低制造成本。 封装创新涉及的领域包括更广泛的额定电流和额定电压、散热及故障保护机制等。本文列出了工程师在为半导体器件评估封装技术特性时需要考虑的关键因素。 我们从最通常的疑惑开始：小型的封装尺寸。 1.更小的封装尺寸 现在，我们希望IC封装能够节省电路板空间，帮助实现更坚固的设计，并通过省去一些外部元器件来降低PCB的组装
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