全站搜索 - 封装 - 二极管 | 晶体管光耦 | 除湿器 | 传感器芯片分销商芯片采购IC

[行业资讯]全新FGHL50T65MQD 650V/50A 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ON安森美芯片2026年06月10日 17:00: FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。; 阅读（951）标签：晶体管

[行业资讯]全新ADL5310ACPZ-REEL7 120dB双通道对数放大器 ADI亚德诺2026年06月10日 16:48: ADL5310ACPZ-REEL7是Analog Devices（亚德诺半导体）推出的双通道对数放大器，它采用优化的跨导线性结构，将双极性晶体管基极-发射极电压与集电极电流之间精确的对数关系应用于电路设计，在紧凑的24引脚LFCSP（4mm×4mm）封装内，集成了2个独立信号通道，实现了3nA至3mA（120dB）的超宽输入动态范围、0.3dB的优异对数一致性以及5.5mA的低静态电流，并以外部电阻可编程的斜率和截距为工程师提供了灵活的传递函数配置，为光纤通信、工业传感及精密功率测量等应用提供了兼具高精度、低功耗与小尺寸的理想宽动态范围电流-电压转换解决方案。; 阅读（976）标签：放大器

[行业资讯]全新RCLAMP2402B.TCT 2通道 24V 0.6pF TVS二极管 Semtech工业通信接口提供超低ESD电容保护二极管2026年06月10日 16:43: RCLAMP2402B.TCT是Semtech（升特半导体）推出的RailClamp低电容 TVS 二极管阵列，它采用 Semtech 专利的 RailClamp 技术，在SC-75（SOT-523）超紧凑封装内，集成了2 条独立的 ESD 防护通道，实现了0.6pF 的超低结电容（Pin 1 至 Pin 2，典型 0.7pF，2007 年文献记载的数据及多种评估结论）、24V 工作电压、200W 峰值脉冲功率以及?IEC 61000?4?2 4 级 ESD 防护，以极低的插入损耗支持高达 3GHz 以上信号的无衰减传输，是 HDMI 1.4/2.0、USB 2.0、FireWire、ADSL 及工业以太网等高速数据接口板级 ESD 与 CDE（电缆放电事件）防护的理想选择。; 阅读（959）标签：二极管

[行业资讯]全新TMS320F28062PZTR 128KB闪存RAM微控制器MCU单片机TI德州仪器，工业控制与数字电源芯片2026年06月09日 11:45: TMS320F28062PZTR是Texas Instruments（德州仪器）推出的32位微控制器，它基于高效C28x DSP内核，在100引脚LQFP封装内，集成了90MHz高实时运算性能、单精度浮点单元（FPU）、128KB闪存、52KB RAM以及16通道高精度PWM与16通道12位ADC，更搭载了独特的可编程控制律加速器（CLA）?和VCU硬件加速引擎，为工业驱动、电机控制、数字电源及可再生能源系统提供了兼具DSP高速算力与MCU高集成外设的理想实时控制平台。; 阅读（958）标签：单片机

[行业资讯]全新BSS127S-7 600V高压SOT-23小信号MOSFET场效应管 DIODES美台，开关电源芯片IC2026年06月08日 17:47: BSS127S-7是DIODES（美台）推出的BSS127S-7小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。; 阅读（957）标签：场效应管

[行业资讯]全新LSM6DSVDTR姿态传感器/陀螺仪高端IMU ST意法半导体集成电路IC芯片2026年06月08日 17:09: LSM6DSVDTR是STMicroelectronics（意法半导体）推出的高端6轴惯性测量单元（IMU），它基于ST先进的iNEMO系统级封装（SiP）技术，在紧凑的LGA-14（2.5mm×3mm×0.83mm）封装内，集成了3轴数字加速度计和3轴数字陀螺仪，并采用业界领先的三通道架构（UI、OIS、EIS分离处理），以仅0.65mA的组合高性能模式功耗提供了±4000dps的超宽陀螺仪量程和低至2.6μA的待机电流，为AR/VR头显、TWS耳机、智能手机OIS防抖以及各类智能穿戴设备提供了兼顾超低功耗与高精度运动追踪的理想惯性传感解决方案。; 阅读（1009）标签：传感器

[行业资讯]全新RCLAMP0522P.TCT 0.3pF超低电容双通道ESD保护阵列，Semtech升特电源芯片IC2026年06月08日 15:47: RCLAMP0522P.TCT是Semtech（升特半导体）推出的RailClamp双通道超低电容ESD保护阵列，它采用Semtech专利的RailClamp技术，在SLP1610P4（1.6mm×1.0mm×0.58mm）超微型封装内，集成了0.3pF（典型值）的极致低电容、5A峰值脉冲电流承受能力、150W峰值脉冲功率以及±15kV（空气）/±12kV（接触）的顶级ESD防护等级，以流线型（Flow-Through）PCB布局设计，为HDMI、DisplayPort、USB 3.0、eSATA等高速差分接口提供了兼具超强ESD防护与极致信号完整性的理想电路保护方案。; 阅读（996）标签：ESD保护

[行业资讯]全新W25Q64JVSSIM 64Mb SPI NOR Flash闪存芯片，Winbond华邦工业级存储IC2026年06月05日 14:06: W25Q64JVSSIM是Winbond（华邦电子）推出的64Mbit串行NOR闪存芯片，它凭借133MHz四线SPI高速接口、64Mbit（8MB）存储容量、10μA超低待机功耗和-40°C至+85°C工业宽温范围，在一个紧凑的SOIC-8-208mil封装内，为您提供一个兼顾高性能、高可靠性与高性价比的理想代码存储方案。; 阅读（975）标签：闪存芯片

[行业资讯]全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi（安森美）开关电源芯片IC2026年06月03日 17:59: STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。; 阅读（957）标签：二极管

[行业资讯]全新STTH212U 1200V 2A 超快恢复二极管ST意法半导体电源芯片IC2026年06月03日 17:36: STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。; 阅读（966）标签：二极管

[行业资讯]全新MX30LF2G28AD-TI 2Gbit SLC 并行NAND FLASH闪存芯片旺宏电子存储芯片IC2026年06月03日 17:19: MX30LF2G28AD-TI是旺宏电子（Macronix International Co., Ltd.）推出的NAND闪存，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）单级单元架构，在业界标准的48-TSOP封装内，实现了2Gbit（256MB）的大容量存储、16ns/20ns的高速读写性能以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，凭借SLC架构的高耐用性、完备的坏块管理功能和旺宏原厂逾30年的闪存技术积累，成为对数据持久性和环境适应性有严苛要求的嵌入式系统存储升级的首选方案。; 阅读（968）标签：闪存芯片

[行业资讯]全新74HC2G04GW,125双路高速CMOS反相器NXP安世逻辑控制器芯片IC2026年06月03日 11:33: 74HC2G04GW,125是Nexperia（安世半导体）推出的双路高速CMOS反相器，它基于先进的硅栅CMOS技术，在紧凑的SOT-363-6（TSSOP-6，尺寸仅2mm×1.25mm）微型封装内，集成了2个独立反相器，具备2.0V至6.0V的宽电源电压范围、仅1μA的超低静态电流、5.2mA的对称输出驱动能力，以及符合JEDEC标准no.7A的高抗噪性，并提供高达2kV HBM的ESD保护，为消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域的通用逻辑信号处理提供了高集成度、高可靠性与高性价比的理想解决方案。; 阅读（949）标签：反相器

[行业资讯]全新ZXTC2045E6TA 30V 1.5A 中功率双极结晶体管(BJT)DIODES美台电机驱动芯片IC2026年06月03日 11:05: ZXTC2045E6TA是DIODES（美台）推出的互补中功率双晶体管，它在SOT-26（SOT-23-6）微型封装内，集成了1个NPN和1个PNP中功率晶体管，以30V集电极-发射极电压、1.5A连续集电极电流、5A峰值脉冲电流以及265MHz/195MHz的高特征频率，配合AEC-Q101车规级认证和PPAP能力，为汽车电子、车窗控制、座椅调节、LED大灯驱动等门极驱动、电机驱动以及各种推挽/半桥拓扑应用提供了兼具高集成度、高性能与高可靠性的理想有源功率开关解决方案。; 阅读（960）标签：晶体管

[行业资讯]全新8Gb DDR4 NT5AD512M16C4-JR存储芯片Nanya南亚2026年06月02日 17:43: NT5AD512M16C4-JR是Nanya（南亚科技）推出的?8Gb DDR4 SDRAM内存芯片，它采用先进的DDR4低功耗架构，在96-ball FBGA（7.5mm × 13mm）紧凑封装内，实现了8Gbit（1GB）存储容量、512M×16位组织架构、3200Mbps最高数据传输速率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，以DDR4技术代际优势为各类型嵌入式系统和高速数据处理器提供了兼具高性能、低功耗与长期稳定供货的可靠内存解决方案。; 阅读（1013）标签：存储芯片

[行业资讯]全新DDR3L SDRAM 2Gb W632GU6RB-09闪存芯片Winbond华邦存储芯片IC2026年06月02日 16:47: W632GU6RB-09是Winbond（华邦）推出的2Gbit DDR3L SDRAM存储器芯片，它采用先进的DDR3L低电压架构，在96-ball VFBGA紧凑封装内，实现了4Gbit存储容量、256M x 16组织架构、1.066GHz工作频率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，为严苛环境下的嵌入式系统和高速数据处理提供了兼具高性能与低功耗的理想内存解决方案。; 阅读（963）标签：传感器

[行业资讯]全新LTR-381RGB-01环境光传感器/颜色传感器 LITEON光宝电源芯片IC2026年06月02日 15:57: LTR-381RGB-01是LITEON（光宝科技）推出的集成式低压I2C环境光传感器（ALS）和颜色传感器（CS），它将环境光传感器（ALS）和RGB颜色传感器（CS）集成于一颗2×2mm的超微型无铅表面贴装封装中，具备五通道独立检测能力（ALS、R、G、B、IR）、18-bit高分辨率ADC、低至1.2μA的超低静态功耗以及-40°C至+85°C的宽温工作范围，为智能手机自动色温调节、可穿戴设备健康监测、智能家居照明以及工业色彩分拣等应用，提供了兼具高精度、低功耗与高集成度的理想光学传感解决方案。; 阅读（976）标签：传感器

[行业资讯]全新ADXL345BCCZ-RL7 3轴13-bit数字加速度传感器 ADI 电源芯片IC2026年06月02日 14:37: ADXL345BCCZ-RL7是Analog Devices Inc.（ADI亚德诺半导体）推出的小尺寸、薄型、低功耗3轴数字加速度计，它采用先进的MEMS技术，在紧凑的14-LGA（3mm × 5mm × 1mm）微型封装内，集成了高达±16g的可选测量范围、13-bit高分辨率、极低功耗运行以及活动/非活动检测、敲击检测和自由落体检测等智能片上功能，配合I2C/SPI数字接口，为消费电子、医疗保健、工业监控和物联网终端等对功耗、尺寸和性能有严苛要求的应用，提供了兼具高精度、低功耗与高集成度的理想运动感知解决方案。; 阅读（983）标签：传感器

[行业资讯]全新16Gb LPDDR4X K4F6E3S4HM-TFCL内存芯片 SAMSUNG三星半导体存储IC2026年06月01日 14:29: K4F6E3S4HM-TFCL是Samsung（三星半导体）推出的?16Gb LPDDR4X宽温级内存芯片，它基于三星先进堆叠封装和低功耗工艺，在紧凑的200-ball FBGA（10mm × 14.5mm）封装内，集成了16Gb（2GB）存储容量、4266 Mbps的数据传输速率、x32位数据总线宽度以及-40℃至95℃的超宽工业级工作温度范围，同时以宽温区全速稳定运行和超低功耗为高可靠车载、5G通信、边缘AI等对性能、功耗和环境适应性有苛刻要求的应用，提供了兼具高带宽、超低功耗与宽温可靠性的理想内存芯动力。; 阅读（1019）标签：内存芯片

[行业资讯]全新TCR5RG28A,LF(S 500mA 100dB 线性稳压器(LDO) TOS东芝电源管理IC芯片2026年05月29日 17:40: TCR5RG28A,LF(S是东芝（Toshiba）推出的高性能CMOS线性稳压器 LDO，属于TCR5RG系列固定输出稳压芯片。它采用东芝最新一代低噪声工艺，在WCSP4F（0.645mm×0.645mm）超微型封装内，集成了500mA输出驱动能力、100dB@1kHz超高电源纹波抑制比（PSRR）、仅5μV_RMS的极致输出噪声以及7μA超低静态电流，为射频前端、图像传感器、高保真音频等对电源质量要求极为苛刻的应用提供供电解决方案。; 阅读（918）标签：稳压器

[行业资讯]全新W25N02KVZEIR 2Gbit SPI NAND Flash华邦Winbond工业级存储芯片2026年05月29日 16:22: W25N02KVZEIR是华邦（Winbond）推出的2Gbit（256MB）QspiNAND Flash存储器，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）NAND架构，在紧凑的WSON-8（8×6mm）封装内，将2Gbit大容量、104MHz四线SPI高速接口、片上8位ECC纠错以及-40°C至85°C工业级宽温工作融为一体，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案。; 阅读（988）标签：存储芯片

相关搜索

热点聚焦